Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018147202) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, OPTICAL AREA SENSOR USING SAME, IMAGING ELEMENT, AND IMAGING DEVICE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2018/147202 № международной заявки: PCT/JP2018/003691
Дата публикации: 16.08.2018 Дата международной подачи: 02.02.2018
МПК:
H01L 51/42 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
51
Приборы на твердом теле с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства, специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей
42
специально предназначенные для восприятия инфракрасного излучения, светового, коротковолнового электромагнитного излучения или корпускулярного излучения; специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
14
содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и специально предназначенные как для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию, так и для управления электрической энергией с помощью таких излучений
144
устройства, управляемые при помощи излучения
146
структуры формирователей сигналов изображения
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
31
Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
08
в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы
10
характеризуемые наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы
Заявители:
キヤノン株式会社 CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501, JP
Изобретатели:
高橋 哲生 TAKAHASHI Tetsuo; JP
塩原 悟 SHIOBARA Satoru; JP
鎌谷 淳 KAMATANI Jun; JP
山田 直樹 YAMADA Naoki; JP
山口 智奈 YAMAGUCHI Tomona; JP
大類 博揮 OHRUI Hiroki; JP
岩脇 洋伸 IWAWAKI Hironobu; JP
板橋 真澄 ITABASHI Masumi; JP
西出 洋祐 NISHIDE Yosuke; JP
宮下 広和 MIYASHITA Hirokazu; JP
梶本 典史 KAJIMOTO Norifumi; JP
野口 萌恵 NOGUCHI Moe; JP
河田 功 KAWATA Isao; JP
伊藤 祐斗 ITO Yuto; JP
Агент:
岡部 讓 OKABE Yuzuru; JP
齋藤 正巳 SAITO Masami; JP
Дата приоритета:
2017-02023907.02.2017JP
2017-22168417.11.2017JP
2017-25092927.12.2017JP
Название (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, OPTICAL AREA SENSOR USING SAME, IMAGING ELEMENT, AND IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, CAPTEUR À ZONE OPTIQUE L'UTILISANT, ÉLÉMENT D'IMAGERIE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 光電変換素子、及びこれを用いた光エリアセンサ、撮像素子、撮像装置
Реферат:
(EN) Provided is a photoelectric conversion element that includes: an anode; a photoelectric conversion layer comprising a first organic semiconductor, a second organic semiconductor, and a third organic semiconductor; and a cathode. The first organic semiconductor, second organic semiconductor, and third organic semiconductor are all low-molecular organic semiconductors; the mass ratio thereof satisfies the first organic semiconductor ≥ second organic semiconductor ≥ third organic semiconductor; and when the sum of the first organic semiconductor, second organic semiconductor, and third organic semiconductor is 100 mass%, the content of the second organic semiconductor is 6 mass% or more, and the content of the third organic semiconductor is 3 mass% or more.
(FR) L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique qui comprend : une anode; une couche de conversion photoélectrique comprenant un premier semiconducteur organique, un second semiconducteur organique et un troisième semiconducteur organique; et une cathode. Le premier semiconducteur organique, le second semiconducteur organique et le troisième semiconducteur organique sont tous des semiconducteurs organiques à faible masse moléculaire; dont le rapport en masse satisfait : le premier semiconducteur organique ≥ second semiconducteur organique ≥ troisième semiconducteur organique; et lorsque la somme du premier semiconducteur organique, second semiconducteur organique et troisième semiconducteur organique est de 100 % en masse, la teneur du second semiconducteur organique est inférieure ou égale à 6 % en masse, et la teneur du troisième semiconducteur organique est supérieure ou égale à 3 % en masse.
(JA) アノードと、第一の有機半導体と第二の有機半導体と第三の有機半導体とからなる光電変換層と、カソードとを有する光電変換素子において、第一の有機半導体と第二の有機半導体と第三の有機半導体としていずれも低分子有機半導体を用い、質量比を第一の有機半導体≧第二の有機半導体≧第三の有機半導体とし、さらに、第一の有機半導体と第二の有機半導体と第三の有機半導体の合計を100質量%とした時、第二の有機半導体の含有量を6質量%以上、第三の有機半導体の含有量を3質量%以上とする光電変換素子。
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)