Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018140104) METHOD AND SYSTEM FOR DEFECT PREDICTION OF INTEGRATED CIRCUITS
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2018/140104 № международной заявки: PCT/US2017/059027
Дата публикации: 02.08.2018 Дата международной подачи: 30.10.2017
МПК:
G01N 21/88 (2006.01) ,G01N 21/95 (2006.01) ,G01N 21/01 (2006.01)
G ФИЗИКА
01
Измерение; испытание
N
Исследование или анализ материалов путем определения их химических или физических свойств
21
Исследование или анализ материалов с помощью оптических средств, т.е. с использованием инфракрасных, видимых или ультрафиолетовых лучей
84
системы, предназначенные для особых целей
88
выявление дефектов, трещин или загрязнений
G ФИЗИКА
01
Измерение; испытание
N
Исследование или анализ материалов путем определения их химических или физических свойств
21
Исследование или анализ материалов с помощью оптических средств, т.е. с использованием инфракрасных, видимых или ультрафиолетовых лучей
84
системы, предназначенные для особых целей
88
выявление дефектов, трещин или загрязнений
95
характеризующееся материалом или формой исследуемого объекта
G ФИЗИКА
01
Измерение; испытание
N
Исследование или анализ материалов путем определения их химических или физических свойств
21
Исследование или анализ материалов с помощью оптических средств, т.е. с использованием инфракрасных, видимых или ультрафиолетовых лучей
01
устройства или приборы для оптических исследований
Заявители:
DONGFANG JINGYUAN ELECTRON LIMITED [CN/CN]; 156 4th Jinghai Road, Building 12 Beijing Economic Development District Beijing, CN 10076, CN
XTAL INC. [US/US]; 97 E. Brokaw Road Suite 330 San Jose, California 95112, US
Изобретатели:
YU, Zongchang; US
LIN, Jie; US
ZHANG, Zhaoli; US
Агент:
XIAO, Lin; US
KNIGHT, Michelle L.; US
Дата приоритета:
15/419,64330.01.2017US
Название (EN) METHOD AND SYSTEM FOR DEFECT PREDICTION OF INTEGRATED CIRCUITS
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE PRÉDICTION DE DÉFAUTS DE CIRCUITS INTÉGRÉS
Реферат:
(EN) Methods and systems for defect prediction are provided. The method includes receiving feature data of an integrated circuit (IC) and process condition data of a production process associated with the IC, and determining a care area associated with the IC using the feature data, the process condition data, and a defect prediction technique, wherein the care area includes a potential defect and is inspected by a high-resolution inspection system. Based on the provided methods and systems, care areas can be generated incorporating actual process conditions when the inspected IC is being manufactured, and fast and high-resolution IC defect inspection systems can be implemented.
(FR) L’invention concerne des procédés et des systèmes de prédiction de défauts. Le procédé consiste à recevoir des données d’attributs d’un circuit intégré (CI) et des données de conditions de processus d’un processus de production associé au CI, et à déterminer une zone de soin associée au CI au moyen des données d’attributs, des données de conditions de processus, et d’une technique de prédiction de défauts, la zone de soin incluant un défaut potentiel et étant inspectée par un système d’inspection à haute résolution. Sur la base des procédés et des systèmes selon l’invention, des zones de soin peuvent être générées en incorporant des conditions de processus réelles lorsque le CI inspecté est fabriqué, et des systèmes d’inspection de défauts de CI rapides et à haute résolution peuvent être réalisés.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)