Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018139282) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2018/139282 № международной заявки: PCT/JP2018/001091
Дата публикации: 02.08.2018 Дата международной подачи: 17.01.2018
МПК:
H01L 27/146 (2006.01) ,G02B 7/02 (2006.01) ,G03B 17/02 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
14
содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и специально предназначенные как для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию, так и для управления электрической энергией с помощью таких излучений
144
устройства, управляемые при помощи излучения
146
структуры формирователей сигналов изображения
G ФИЗИКА
02
Оптика
B
Оптические элементы, системы или приборы
7
Оправы, регулирующие приспособления и светонепроницаемые соединения для оптических элементов
02
для линз
G ФИЗИКА
03
Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография
B
Аппараты или устройства для получения фотоснимков или для их проецирования или просмотра; аппараты или устройства, в которых применяется аналогичная техника с использованием волн иных, чем оптические волны; принадлежности для них
17
Конструктивные элементы фото- и кинокамер; вспомогательные устройства для них
02
корпуса
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
04
Техника электрической связи
N
Передача изображений, например телевидение
5
Элементы телевизионных систем
30
преобразование световой или аналогичной информации в информацию в виде электрических сигналов
335
использующие датчики изображения на твердом теле (SSIS)
369
SSIS архитектура; связанная с ним схема
Заявители:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Изобретатели:
宝玉 晋 HOGYOKU Susumu; JP
Агент:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Дата приоритета:
2017-01430330.01.2017JP
Название (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET INSTRUMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置、及び、電子機器
Реферат:
(EN) The present art pertains to a semiconductor device with which it is possible to provide an optical system that is stable with respect to heat, and an electronic instrument. Provided is a semiconductor device equipped with a sensor and a holding substrate for holding the sensor, the semiconductor device satisfying the relationships (EI × tI) + (ES × tS) > 30 and 1.5 < CTEI < 4.5, where, regarding the sensor, ES(GPa) represents the Young's modulus and tS(mm) represents the thickness, and regarding the holding substrate, CTEI(ppm/K) represents the linear coefficient, EI(GPa) represents the Young's modulus, and tI(mm) represents the thickness. The present art can be applied to, e.g., a semiconductor package housing an image sensor.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur avec lequel il est possible de fournir un système optique qui est stable vis-à-vis de la chaleur, et un instrument électronique. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur équipé d'un capteur et d'un substrat de maintien destiné à maintenir le capteur, le dispositif à semi-conducteur satisfaisant les relations (EI × tI) + (ES × tS) > 30 et 1,5 < CTEI < 4,5, où, en ce qui concerne le capteur, ES (GPa) représente le module d'élasticité de Young et tS (mm) représente l'épaisseur, et en ce qui concerne le substrat de maintien, CTEI (ppm/K) représente le coefficient linéaire, EI (GPa) représente le module d'élasticité de Young, et tI (mm) représente l'épaisseur. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à un boîtier de semi-conducteur logeant un capteur d'image.
(JA) 本技術は、熱に対して安定な光学系を提供することができるようにする半導体装置、及び、電子機器に関する。 センサと、当該センサを保持する保持基板とを備え、センサについて、ヤング率をES(GPa),厚みをtS(mm)とし、保持基板について、線膨張係数をCTEI(ppm/K),ヤング率をEI(GPa),厚みをtI(mm)としたとき、(EI × tI)+(ES × tS) > 30、かつ、1.5 < CTEI < 4.5を満たしている半導体装置が提供される。本技術は、例えば、イメージセンサを収納した半導体パッケージに適用することができる。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)