Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018123166) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2018/123166 № международной заявки: PCT/JP2017/034250
Дата публикации: 05.07.2018 Дата международной подачи: 22.09.2017
МПК:
H01L 21/308 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
30
обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в
302
для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка
306
обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление
308
с использованием масок
Заявители:
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
Изобретатели:
堀田 明伸 HORITA Akinobu; JP
島田 憲司 SHIMADA Kenji; JP
高橋 健一 TAKAHASHI Kenichi; JP
尾家 俊行 OIE Toshiyuki; JP
伊藤 彩 ITO Aya; JP
Агент:
小林 浩 KOBAYASHI Hiroshi; JP
杉山 共永 SUGIYAMA Tomohisa; JP
田村 恭子 TAMURA Kyoko; JP
鈴木 康仁 SUZUKI Yasuhito; JP
Дата приоритета:
2016-25054526.12.2016JP
Название (EN) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME
(FR) COMPOSITION DE GRAVURE HUMIDE POUR SUBSTRAT AYANT UNE COUCHE DE SiN ET UNE COUCHE DE Si ET PROCÉDÉ DE GRAVURE HUMIDE L'UTILISANT
(JA) SiN層およびSi層を有する基板用ウェットエッチング組成物およびこれを用いたウェットエッチング方法
Реферат:
(EN) The present invention relates to a wet etching composition for a substrate having a SiN layer and a Si layer, containing 0.1-50 wt. % of a fluorine compound (A), 0.04-10 wt. % of an oxidizer (B), and water (D), and having a pH in the range of 2.0-5.0. The present invention also relates to a wet etching method for a semiconductor substrate having a SiN layer and a Si layer, using the wet etching composition. Using the composition according to the present invention enables an increase in the selectability of removal of Si relative to SiN in substrates having a SiN layer and a Si layer, while reducing corrosion of equipment and exhaust lines by volatile components produced during use, air pollution, and the environmental burden of the nitrogen in the composition.
(FR) La présente invention concerne une composition de gravure humide pour un substrat ayant une couche de SiN et une couche de Si, contenant 0,1 à 50 % en poids. d'un composé de fluor (A), 0,04 à 10 % en poids d'un oxydant (B), et de l'eau (D), et ayant un pH dans la plage de 2,0 à 5,0. La présente invention concerne également un procédé de gravure humide pour un substrat semiconducteur ayant une couche de SiN et une couche de Si, utilisant la composition de gravure humide. L'utilisation de la composition selon la présente invention permet une augmentation de la sélectivité de l'élimination du Si par rapport au SiN dans des substrats ayant une couche de SiN et une couche de Si, tout en réduisant la corrosion de l'équipement et des lignes d'échappement par des composants volatils produits pendant l'utilisation, la pollution de l'air et la charge environnementale de l'azote dans la composition.
(JA) 本発明は、フッ素化合物(A)を0.1~50質量%、酸化剤(B)を0.04~10質量%、および水(D)を含有し、pHが2.0~5.0の範囲にあるSiN層およびSi層を有する基板用ウェットエッチング組成物に関する。また本発明は、該ウェットエッチング組成物を用いる、SiN層およびSi層を有する半導体基板のウェットエッチング方法に関する。本発明の組成物を用いることにより、使用時に発生する揮発成分による装置や排気ラインの腐食および大気汚染、さらには組成物中の窒素分による環境負荷を軽減しながら、SiN層およびSi層を有する基板に対して、SiNに対するSiの除去選択性を高めることができる。
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)
Также опубликовано как:
CN108513679KR1020180087420EP3389083US20190040317