Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018106233) INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH CRENELLATED METAL TRACE LAYOUT
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро   

№ публикации: WO/2018/106233 № международной заявки: PCT/US2016/065423
Дата публикации: 14.06.2018 Дата международной подачи: 07.12.2016
МПК:
H01L 27/02 (2006.01) ,G06F 17/50 (2006.01) ,G06F 13/40 (2006.01) ,H01L 23/528 (2006.01) ,H01L 23/538 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
02
содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером
G ФИЗИКА
06
Обработка данных; вычисление; счет
F
Обработка цифровых данных с помощью электрических устройств
17
Устройства или методы цифровых вычислений или обработки данных, специально предназначенные для специфических функций
50
автоматизированное проектирование
G ФИЗИКА
06
Обработка данных; вычисление; счет
F
Обработка цифровых данных с помощью электрических устройств
13
Соединение запоминающих устройств, устройств ввода-вывода или устройств центрального процессора или передача информации или других сигналов между этими устройствами
38
передача информации, например по шине
40
структура шины
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
23
Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
52
электрические соединения внутри прибора, например между компонентами прибора в процессе его работы
522
включающие в себя внешние межсоединения, имеющие многослойную структуру в виде электропроводных или изоляционных слоев, несъемно сформованных на полупроводниковой подложке
528
компоновка структуры межсоединений
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
23
Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
52
электрические соединения внутри прибора, например между компонентами прибора в процессе его работы
538
структура соединений между несколькими полупроводниковыми кристаллами, сформированными на или в изоляционной подложке
Заявители:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Изобретатели:
MORROW, Patrick; US
KOBRINSKY, Mauro J.; US
BOHR, Mark T.; US
GHANI, Tahir; US
MEHANDRU, Rishabh; US
KUMAR, Ranjith; US
Агент:
HOWARD, James M.; US
Дата приоритета:
Название (EN) INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH CRENELLATED METAL TRACE LAYOUT
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT INTÉGRÉ AVEC TRACÉ DE TRACE MÉTALLIQUE CRÉNELÉ
Реферат:
(EN) Integrated circuit (IC) cell architectures including a crenellated interconnect trace layout. A crenellated trace layout may be employed where an IC cell includes transistor having a source/drain terminal interconnected through a back-side (3D) routing scheme that reduces front-side routing density for a given transistor footprint. In the crenellated layout, adjacent interconnect traces or tracks may have their ends staggered according to a crenellation phase for the cell. Crenellated tracks may intersect one cell boundary with adjacent tracks intersecting an opposite cell boundary. Track ends may be offset by at least the width of an underlying orthogonal interconnect trace. Crenellated track ends may be offset by the width of an underlying orthogonal interconnect trace and half a spacing between adjacent orthogonal interconnect traces.
(FR) L'invention concerne des architectures de cellules de circuit intégré (CI) comprenant un tracé de trace d'interconnexion crénelé. Un tracé de trace crénelé peut être utilisé lorsqu'une cellule de circuit intégré comprend un transistor ayant une borne de source/drain interconnectée par l'intermédiaire d'un schéma de routage côté arrière (3D) qui réduit la densité de routage côté avant pour une empreinte de transistor donnée. Dans le tracé crénelé, des traces ou pistes d'interconnexion adjacentes peuvent avoir leurs extrémités décalées selon une phase de créneaux pour la cellule. Des pistes crénelées peuvent couper une limite de cellule avec des pistes adjacentes croisant une limite de cellule opposée. Les extrémités de piste peuvent être décalées d'au moins la largeur d'une trace d'interconnexion orthogonale sous-jacente. Les extrémités de piste crénelée peuvent être décalées par la largeur d'une trace d'interconnexion orthogonale sous-jacente et la moitié d'un espacement entre des traces d'interconnexion orthogonales adjacentes.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)