Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018063400) MULTI-CHIP PACKAGE WITH HIGH DENSITY INTERCONNECTS
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро   

№ публикации: WO/2018/063400 № международной заявки: PCT/US2016/055023
Дата публикации: 05.04.2018 Дата международной подачи: 30.09.2016
МПК:
H01L 25/18 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
25
Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле
18
блоки, в которых все используемые приборы относятся к типам, предусмотренным в двух или более различных рубриках одной из основных групп
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
25
Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле
03
блоки, в которых все приборы отнесены к типам, предусмотренным в группах , например блоки выпрямляющих диодов
04
блоки приборов, не имеющих отдельных корпусов
065
отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
23
Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
Заявители:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Изобретатели:
ALEKSOV, Aleksandar; US
ELSHERBINI, Adel A.; US
DARMAWIKARTA, Kristof; US
MAY, Robert A.; US
BOYAPATI, Sri Ranga Sai; US
Агент:
GUGLIELMI, David, L.; US
Дата приоритета:
Название (EN) MULTI-CHIP PACKAGE WITH HIGH DENSITY INTERCONNECTS
(FR) BOÎTIER MULTI-PUCE À INTERCONNEXIONS HAUTE DENSITÉ
Реферат:
(EN) An apparatus is provided which comprises: a plurality of first conductive contacts having a first pitch spacing on a substrate surface, a plurality of second conductive contacts having a second pitch spacing on the substrate surface, and a plurality of conductive interconnects disposed within the substrate to couple a first grouping of the plurality of second conductive contacts associated with a first die site with a first grouping of the plurality of second conductive contacts associated with a second die site and to couple a second grouping of the plurality of second conductive contacts associated with the first die site with a second grouping of the plurality of second conductive contacts associated with the second die site, wherein the conductive interconnects to couple the first groupings are present in a layer of the substrate above the conductive interconnects to couple the second groupings. Other embodiments are also disclosed and claimed.
(FR) L'invention concerne un appareil qui comprend : une pluralité de premiers contacts conducteurs ayant un premier espacement de pas sur une surface de substrat, une pluralité de seconds contacts conducteurs ayant un second espacement de pas sur la surface de substrat, et une pluralité d'interconnexions conductrices disposées à l'intérieur du substrat pour coupler un premier groupement de la pluralité de seconds contacts conducteurs associés à un premier site de puce avec un premier groupement de la pluralité de seconds contacts conducteurs associés à un second site de puce et pour coupler un second groupement de la pluralité de seconds contacts conducteurs associés au premier site de puce avec un second groupement de la pluralité de seconds contacts conducteurs associés au second site de puce, les interconnexions conductrices pour coupler les premiers groupements étant présentes dans une couche du substrat au-dessus des interconnexions conductrices pour coupler les seconds groupements. L'invention se rapporte également à d'autres modes de réalisation.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)