Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018060570) STRUCTURE COMPRISING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR ISLANDS AND PROCESS FOR MAKING SUCH A STRUCTURE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2018/060570 № международной заявки: PCT/FR2017/052529
Дата публикации: 05.04.2018 Дата международной подачи: 21.09.2017
Требованиe в соответствии с Главой 2 подано: 27.03.2018
МПК:
H01L 21/20 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
20
нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
Заявители:
SOITEC [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 Bernin, FR
Изобретатели:
SOTTA, David; FR
KONONCHUK, Oleg; FR
BETHOUX, Jean-Marc; FR
Агент:
BREESE, Pierre; FR
Дата приоритета:
165934329.09.2016FR
Название (EN) STRUCTURE COMPRISING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR ISLANDS AND PROCESS FOR MAKING SUCH A STRUCTURE
(FR) STRUCTURE COMPRENANT DES ILOTS SEMI-CONDUCTEURS MONOCRISTALLINS, PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE STRUCTURE
Реферат:
(EN) The invention relates to a structure (10) for producing at least one active layer made of a III-V material (6), comprising a substrate composed of a carrier (2) having a main face, of a dielectric layer (3) located on the main face of the carrier, and of a plurality of single-crystal semiconductor islands (4) located directly on the dielectric layer (3), the islands having an upper surface in order to serve as seed for the growth of the active layer. According to the invention, the structure comprises a bonding layer (5) located between the single-crystal semiconductor islands (4), directly on the portion of the dielectric layer (3) that is not covered by the islands (4), without masking the upper surface of the islands (4), so that the dielectric layer (3) is no longer exposed to its environment.
(FR) L'invention porte sur une structure (10) pour l'élaboration d'au moins une couche active en matériau III-V (6) comprenant un substrat formé d'un support (2) présentant une face principale, d'une couche diélectrique (3) disposée sur la face principale du support, et d'une pluralité d'îlots semi-conducteurs monocristallins (4) disposée directement sur la couche diélectrique (3), les îlots présentant une surface supérieure pour servir de germe à la croissance de la couche active. Selon l'invention la structure comprend une couche d'accroché (5) disposée entre les îlots semi-conducteurs monocristallins (4), directement sur la portion de la couche diélectrique (3) qui n'est pas recouverte par les îlots (4), sans masquer la surface supérieure des îlots (4), de sorte que la couche diélectrique (3) ne soit plus exposée à son environnement.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Французский (FR)
Язык подачи: Французский (FR)