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1. (WO2018059108) SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS COMPRISING SAME



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INTERNATIONAL SEARCH REPORT (ISR)
Part 1:  1  2  3  4  5  6          Part 2:  A  B  C  D  E 
国际申请号 申请人或代理人的档案号
PCT/CN2017/095130 IP170194A
国际申请日 (年/月/日) (最早的)优先权日 (年/月/日)
2017年 7月 31日 2016年 9月 30日
申请人
中国科学院微电子研究所
关于后续行为: 见PCT/ISA/220表和 适用时,见下面第5项
按照条约第18条,本国际检索报告由本国际检索单位做出并送交申请人。报告副本送交国际局。
它还附有本报告所引用的各现有技术文件的副本。
1. 报告的基础
a. 关于语言,进行国际检索基于:
国际申请提交时使用的语言。
该国际申请的                                          语言译文,为了国际检索的目的提供该种语言的译文(细则12.3(a)和23.1(b))。
b.
本国际检索报告考虑了本单位许可或被通知的根据细则91所做出的明显错误更正(细则43.6之二(a))。
c.
关于国际申请中所公开的任何对要求保护的发明必要的核苷酸和/或氨基酸序列,国际检索是在下列基础上进行的:
2. 某些权利要求被认为是不能检索的
3. 缺乏发明的单一性
4. 发明名称
同意申请人提出的发明名称。
发明名称由本单位确定如下:
5. 摘要
同意申请人提出的摘要。
根据细则38.2(b),摘要由本单位制定,如第IV栏中所示。自本国际检索报告发文日起一个月内,申请人可以向本单位提出意见。

一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。半导体器件包括:衬底(1001);在衬底(1001)上形成的第一器件和第二器件,第一器件和第二器件分别包括:依次叠置在衬底(1001)上的第一源/漏层(1031)、沟道层(1003)和第二源/漏层(1005);以及绕沟道层(1003)的外周形成的栅堆叠,其中,第一器件的沟道层(1003p)与第二器件的沟道层(1003n)基本共面,且第一器件和第二器件各自的第二源/漏层(1005)中带有不同的应力。


6. 附图
a.
随摘要一起公布的附图是:     26    
按照申请人建议的。
由本单位选择的,因为申请人没有建议一幅图。
由本单位选择的,因为该图能更好地表示发明的特征。
b.
没有与摘要一起公布的附图

A. 主题的分类

     H01L 29/06 (2006.01)i; H01L 29/10 (2006.01)i; H01L 21/336 (2006.01)i
按照国际专利分类(IPC)或者同时按照国家分类和IPC两种分类

B. 检索领域

检索的最低限度文献(标明分类系统和分类号):
     H01L
包含在检索领域中的除最低限度文献以外的检索文献:
在国际检索时查阅的电子数据库(数据库的名称,和使用的检索词(如使用)):
CNABS,CNTXT,DWPI,USTXT,IEEE:源,漏,沟道,栅,应力,堆叠,晶体管,source,drain,channel,gate,stress,stack,transistor

C. 相关文件

类 型* 引用文件,必要时,指明相关段落 相关的权利要求
(1)
PX
CN 106298778 A (中国科学院微电子研究所) 2017年 1月 4日 (2017-01-04)
1-35
说明书第【0001】段-第【0068】段,图1-21
(2)
X
CN 1901225 A (国际商业机器公司) 2007年 1月 24日 (2007-01-24)
1-35
说明书第7页第11行-第12页第20行,图1-8
(3)
X
CN 104103515 A (中芯国际集成电路制造上海有限公司) 2014年 10月 15日 (2014-10-15)
1-35
说明书第【0048】段-第【0078】段,图1-8
(4)
A
US 2006255330 A1 (CHEN 等) 2006年 11月 16日 (2006-11-16)
1-35
全文
(5)
A
CN 102299154 A (中国科学院微电子研究所) 2011年 12月 28日 (2011-12-28)
1-35
全文
*
引用文件的具体类型:
"A"
认为不特别相关的表示了现有技术一般状态的文件
"E"
在国际申请日的当天或之后公布的在先申请或专利
"L"
可能对优先权要求构成怀疑的文件,或为确定另一篇引用文件的公布日而引用的或者因其他特殊理由而引用的文件(如具体说明的)
"O"
涉及口头公开、使用、展览或其他方式公开的文件
"P"
公布日先于国际申请日但迟于所要求的优先权日的文件
"T"
在申请日或优先权日之后公布,与申请不相抵触,但为了理解发明之理论或原理的在后文件
"X"
特别相关的文件,单独考虑该文件,认定要求保护的发明不是新颖的或不具有创造性
"Y"
特别相关的文件,当该文件与另一篇或者多篇该类文件结合并且这种结合对于本领域技术人员为显而易见时,要求保护的发明不具有创造性
"&"
同族专利的文件

D. 关于同族专利的信息

检索报告引用的专利文件 公布日
(年/月/日)
同族专利 公布日
(年/月/日)
CN 106298778 A
2017年 1月 4日
CN 1901225 A
2007年 1月 24日
US 2007018252 A1
CN 100521242 C
2007年 1月 25日
2009年 7月 29日
CN 104103515 A
2014年 10月 15日
CN 104103515 B
2017年 2月 8日
US 2006255330 A1
2006年 11月 16日
CN 100524778 C
US 2008265281 A1
CN 1862822 A
US 7446350 B2
US 7781800 B2
2009年 8月 5日
2008年 10月 30日
2006年 11月 15日
2008年 11月 4日
2010年 8月 24日
CN 102299154 A
2011年 12月 28日
US 2012104508 A1
WO 2011160463 A1
US 8766371 B2
CN 102299154 B
2012年 5月 3日
2011年 12月 29日
2014年 7月 1日
2013年 6月 12日
ISA/CN的名称和邮寄地址 :
中华人民共和国国家知识产权局(ISA/CN)
中国北京市海淀区蓟门桥西土城路6号 100088
传真号 (86-10)62019451
国际检索实际完成的日期:
2017年 9月 19日
国际检索报告邮寄日期:
2017年 10月 13日
受权官员:
李晓明
电话号码 (86-10)62089263
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