Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018055900) SWITCHING ELEMENT DRIVING CIRCUIT
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2018/055900 № международной заявки: PCT/JP2017/027059
Дата публикации: 29.03.2018 Дата международной подачи: 26.07.2017
МПК:
H03K 17/695 (2006.01) ,H02M 1/08 (2006.01) ,H03K 17/16 (2006.01) ,H03K 17/56 (2006.01) ,H03K 17/687 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
K
Импульсная техника
17
Электронная коммутация или стробирование, т.е. без размыкания или замыкания контактов
51
отличающиеся используемыми специальными элементами
56
с использованием в качестве активных элементов полупроводниковых приборов
687
устройства, представляющие собой полевые транзисторы
695
с индуктивной нагрузкой
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
02
Производство, преобразование и распределение электрической энергии
M
Устройства для преобразования переменного тока в переменный, переменного тока в постоянный и наоборот, постоянного тока в постоянный или предназначенные для использования в электросетях или аналогичных системах энергоснабжения; преобразование входной энергии постоянного или переменного тока в выходную энергию требуемого вида; управление или регулирование таких устройств
1
Аспекты устройств преобразования
08
схемы для генерирования управляющих напряжений в полупроводниковых приборах, используемых в статических преобразователях
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
K
Импульсная техника
17
Электронная коммутация или стробирование, т.е. без размыкания или замыкания контактов
16
модификации для устранения мешающих напряжений или токов
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
K
Импульсная техника
17
Электронная коммутация или стробирование, т.е. без размыкания или замыкания контактов
51
отличающиеся используемыми специальными элементами
56
с использованием в качестве активных элементов полупроводниковых приборов
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
K
Импульсная техника
17
Электронная коммутация или стробирование, т.е. без размыкания или замыкания контактов
51
отличающиеся используемыми специальными элементами
56
с использованием в качестве активных элементов полупроводниковых приборов
687
устройства, представляющие собой полевые транзисторы
Заявители:
アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 AISIN AW CO., LTD. [JP/JP]; 愛知県安城市藤井町高根10番地 10, Takane, Fujiicho, Anjo-shi, Aichi 4441192, JP
Изобретатели:
▲高▼倉裕司 TAKAKURA Yuji; JP
中村恭士 NAKAMURA Yasushi; JP
Агент:
特許業務法人R&C R&C IP LAW FIRM; 大阪府大阪市北区中之島三丁目3番3号 3-3, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Дата приоритета:
2016-18583323.09.2016JP
Название (EN) SWITCHING ELEMENT DRIVING CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE D'ÉLÉMENT DE COMMUTATION
(JA) スイッチング素子駆動回路
Реферат:
(EN) The purpose of the present invention is to suitably control a switching element to an off state even in a case when a switching control signal is amplified, and the supply of power to a driving circuit transmitted to the switching element is delayed. Provided are: a compensation resistor (R2) that connects an input unit (IN) and an output unit (OUT) of a push-pull buffer circuit (21); and an input-side pull-down resistor (R3) that connects the input unit (IN) and a negative electrode (VG) side of a switching element (3) subject to driving. The sum of the resistance value of the compensation resistor (R2) and the resistance value of the input-side pull-down resistor (R3) is set to a value that is smaller than the resistance value of a resistor (R1) between a control terminal (G) of the switching element (3) subject to driving and an emitter terminal or a source terminal (S) of the switching element (3), and greater than the resistance value of a lower-side current controlling resistor (R21L) connected between a second potential (–V2) more negative than the negative electrode (VG) and a lower-side buffer element (21L).
(FR) La présente invention concerne la commande appropriée d'un élément de commutation vers un état non passant même dans un cas où un signal de commande de commutation est amplifié, et l'alimentation électrique d'un circuit de commande transmise à l'élément de commutation est retardée. Plus précisément le circuit selon l'invention comprend : une résistance de compensation (R2) qui connecte une unité d'entrée (IN) et une unité de sortie (OUT) d'un circuit tampon symétrique (21); et une résistance de rappel vers le niveau bas côté entrée (R3) qui connecte l'unité d'entrée (IN) et un côté électrode négative (VG) d'un élément de commutation (3) soumis à la commande. La somme de la valeur de résistance de la résistance de compensation (R2) et de la valeur de résistance de la résistance de rappel vers le niveau bas côté entrée (R3) est réglée à une valeur inférieure à la valeur de résistance d'une résistance (R1) entre une borne de commande (G) de l'élément de commutation (3) soumis à la commande et une borne d'émission ou une borne de source (S) de l'élément de commutation (3), et supérieure à la valeur de résistance d'une résistance de commande de courant côté inférieur (R21L) connectée entre un second potentiel (–V2) plus négatif que l'électrode négative (VG) et un élément tampon côté inférieur (21L).
(JA) スイッチング制御信号を増幅してスイッチング素子に伝達する駆動回路への電力供給が滞った場合においても、適切にスイッチング素子をオフ状態に制御する。プッシュプルバッファ回路(21)の入力部(IN)と出力部(OUT)とを接続する補償抵抗(R2)と、入力部(IN)と駆動対象のスイッチング素子(3)の負極(VG)の側とを接続する入力側プルダウン抵抗(R3)と、を備え、補償抵抗(R2)の抵抗値と入力側プルダウン抵抗(R3)の抵抗値との和が、駆動対象のスイッチング素子(3)の制御端子(G)とスイッチング素子(3)のエミッタ端子又はソース端子(S)との間の抵抗(R1)の抵抗値よりも小さく、負極(VG)よりも負の第2電位(-V2)と下段側バッファ素子(21L)との間に接続された下段側電流制限抵抗(R21L)の抵抗値よりも大きい値に設定されている。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)