Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018044167) METHOD OF AND SYSTEM FOR PERFORMING DEFECT DETECTION ON OR CHARACTERIZATION OF A LAYER OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT OR SEMI-MANUFACTURED SEMICONDUCTOR ELEMENT
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюроОтправить комментарий

№ публикации: WO/2018/044167 № международной заявки: PCT/NL2017/050575
Дата публикации: 08.03.2018 Дата международной подачи: 31.08.2017
МПК:
H01L 21/66 (2006.01) ,G01N 29/00 (2006.01) ,G01Q 60/32 (2010.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
66
испытания или измерения в процессе изготовления или обработки
G ФИЗИКА
01
Измерение; испытание
N
Исследование или анализ материалов путем определения их химических или физических свойств
29
Исследование или анализ материалов с помощью ультразвуковых, звуковых или инфразвуковых волн; визуализация внутреннего строения объектов путем пропускания через них ультразвуковых или звуковых волн через предметы
G ФИЗИКА
01
Измерение; испытание
Q
Техника сканирующего зонда или устройства; различные применения техники сканирующего зонда, например микроскопия сканирующего зонда (SPM)
60
Особые виды SPM (Микроскопии Сканирующего Зонда) или устройства для них; обязательные компоненты для них
24
атомная силовая микроскопия (AFM) или устройства для нее, например AFM зонды
32
переменный режим
Заявители:
NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO [NL/NL]; Anna van Buerenplein 1 2595 DA 's-Gravenhage, NL
Изобретатели:
SADEGHIAN MARNANI, Hamed; NL
VAN ES, Maarten Hubertus; NL
MEIJER TIMMERMAN THIJSSEN, Rutger; NL
Агент:
JANSEN, C.M.; V.O. P.O. Box 87930 2508 DH Den Haag, NL
Дата приоритета:
16186518.331.08.2016EP
Название (EN) METHOD OF AND SYSTEM FOR PERFORMING DEFECT DETECTION ON OR CHARACTERIZATION OF A LAYER OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT OR SEMI-MANUFACTURED SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE RÉALISATION D'UNE DÉTECTION DE DÉFAUT SUR UNE COUCHE OU D'UNE CARACTÉRISATION D'UNE COUCHE D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OU D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR SEMI-MANUFACTURÉ
Реферат:
(EN) The present document relates to a method of performing defect detection on a self-assembled monolayer of a semiconductor element or semi- manufactured semiconductor element, using an atomic force microscopy system. The system comprises a probe with a probe tip, and is configured for positioning the probe tip relative to the element for enabling contact between the probe tip and a surface of the element. The system comprises a sensor providing an output signal indicative of a position of the probe tip. The method comprises: scanning the surface with the probe tip; applying an acoustic vibration signal to the element; obtaining the output signal indicative of the position of the probe tip; monitoring probe tip motion during said scanning for mapping the surface of the semiconductor element, and using a fraction of the output signal for mapping contact stiffness indicative of a binding strength.
(FR) La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une détection de défaut sur une monocouche auto-assemblée d'un élément semi-conducteur ou d'un élément semi-conducteur semi-manufacturé, à l'aide d'un système de microscopie à force atomique. Le système comprend une sonde dotée d'une pointe de sonde, et est conçu pour positionner la pointe de sonde par rapport à l'élément pour permettre un contact entre la pointe de sonde et une surface de l'élément. Le système comprend un capteur fournissant un signal de sortie indiquant la position de la pointe de sonde. Le procédé consiste à : balayer la surface avec la pointe de sonde ; appliquer un signal de vibration acoustique à l'élément ; obtenir le signal de sortie indiquant la position de la pointe de sonde ; surveiller le mouvement de la pointe de sonde pendant ledit balayage pour cartographier la surface de l'élément semi-conducteur, et utiliser une fraction du signal de sortie pour cartographier une rigidité de contact indiquant une force de liaison.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)
Также опубликовано как:
KR1020190046925EP3507824