Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018037302) DOPED BISMUTH OXIDE THIN FILMS, ELECTROCHEMICAL DEVICES, METHODS OF MAKING, AND USE THEREOF
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2018/037302 № международной заявки: PCT/IB2017/054674
Дата публикации: 01.03.2018 Дата международной подачи: 31.07.2017
МПК:
H01M 8/1246 (2016.01) ,H01M 8/249 (2016.01)
[IPC code unknown for H01M 8/1246][IPC code unknown for H01M 8/249]
Заявители:
KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [SA/SA]; 4700 King Abdullah University of Science and Technology Thuwal, 23955-6900, SA
Изобретатели:
CAVAZOS SEPÚLVEDA, Adrián César; SA
Дата приоритета:
62/379,78526.08.2016US
Название (EN) DOPED BISMUTH OXIDE THIN FILMS, ELECTROCHEMICAL DEVICES, METHODS OF MAKING, AND USE THEREOF
(FR) FILMS MINCES D'OXYDE DE BISMUTH DOPÉS, DISPOSITIFS ÉLECTROCHIMIQUES, PROCÉDÉS DE FABRICATION ET D'UTILISATION DE CEUX-CI
Реферат:
(EN) Embodiments of the present disclosure provide for electrochemical devices, methods of converting chemical energy to electrical energy, and the like.
(FR) Des modes de réalisation de la présente invention concernent des dispositifs électrochimiques, des procédés de conversion d'énergie chimique en énergie électrique, et analogues.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)