Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2018020695) HEAT DISSIPATION SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR MODULE AND HEAT DISSIPATION SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2018/020695 № международной заявки: PCT/JP2016/081489
Дата публикации: 01.02.2018 Дата международной подачи: 24.10.2016
МПК:
H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H05K 1/02 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
23
Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
34
приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации
36
выбор материалов или специальной формы для облегчения охлаждения или нагрева, например устройства для отвода тепла
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
23
Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
12
крепежные детали, например несъемные изоляционные подложки
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
05
Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
K
Печатные схемы; корпусы или детали электрических приборов; изготовление блоков элементов электрической аппаратуры
1
Печатные схемы
02
элементы конструкции
Заявители:
株式会社半導体熱研究所 SUPERUFO291 TEC [JP/JP]; 京都府京都市中京区河原町通二条下ル一之船入町376 クロトビル4F 4F, CLOTO Building, 376, Ichinofunairi-cho, Kawaramachi-dori Nijyo-sagaru, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6040924, JP
Изобретатели:
福井 彰 FUKUI, Akira; JP
Агент:
特許業務法人京都国際特許事務所 KYOTO INTERNATIONAL PATENT LAW OFFICE; 京都府京都市下京区東洞院通四条下ル元悪王子町37番地 豊元四条烏丸ビル Hougen-Sizyokarasuma Building, 37, Motoakuozi-tyo, Higasinotouin Sizyo-sagaru, Simogyo-ku, Kyoto-si, Kyoto 6008091, JP
Дата приоритета:
2016-14857928.07.2016JP
Название (EN) HEAT DISSIPATION SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR MODULE AND HEAT DISSIPATION SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD
(FR) SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR, BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR, MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR
(JA) 放熱基板、半導体パッケージ、及び半導体モジュール、並びに放熱基板の製造方法
Реферат:
(EN) In the present invention, a main body is made by introducing an insert, which uses as a core material a second metal having a greater thermal conductivity than a first metal, such that the insert passes through, in the thickness direction, a slab-shaped core base material using the first metal as a core material; a laminate is made by arranging, on the front and back surfaces of the main body, slab-shaped thermal conductive materials using as a core material a third metal having a greater thermal conductivity than the first metal; and a heat dissipation substrate is manufactured by subjecting the laminate to discharge plasma sintering at a temperature less than the melting points of the first metal, the second metal and the third metal.
(FR) Dans la présente invention, on réalise un corps principal en introduisant un insert, qui utilise comme matériau de noyau un second métal ayant une conductivité thermique supérieure à celle d'un premier métal, de telle sorte que l'insert passe à travers, dans la direction de l'épaisseur, un matériau de base de noyau en forme de plaque utilisant le premier métal comme matériau de noyau; un stratifié est obtenu par agencement, sur les surfaces avant et arrière du corps principal, des matériaux thermoconducteurs en forme de plaque utilisant comme matériau de noyau un troisième métal ayant une conductivité thermique supérieure à celle du premier métal; et un substrat de dissipation de chaleur est fabriqué en soumettant le stratifié à un frittage par décharge de plasma à une température inférieure aux points de fusion du premier métal, du deuxième métal et du troisième métal.
(JA) 第1の金属を芯材とする板状の芯基材を厚さ方向に貫通するように、前記第1の金属よりも熱伝導率が大きい第2の金属を芯材とする挿入体を導入して本体を作製し、前記本体の表面及び裏面にそれぞれ、前記第1の金属よりも熱伝導率が大きい第3の金属を芯材とする板状の熱伝導部材を配置して積層体を作製し、前記積層体を前記第1の金属、前記第2の金属、及び前記第3の金属の融点未満の温度で放電プラズマ焼結することにより放熱基板を製造する。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)