Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2017215146) METHOD FOR FORMING THIN FILM AND METHOD FOR FORMING ALUMINIUM NITRIDE THIN FILM
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро   
№ публикации: WO/2017/215146 № международной заявки: PCT/CN2016/100297
Дата публикации: 21.12.2017 Дата международной подачи: 27.09.2016
МПК:
C23C 14/02 (2006.01)
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
23
Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C
Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
14
Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие
02
предварительная обработка покрываемого материала
Заявители:
北京北方华创微电子装备有限公司 BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 北京经济技术开发区文昌大道8号 No.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176, CN
Изобретатели:
王军 WANG, Jun; CN
董博宇 DONG, Boyu; CN
郭冰亮 GUO, Bingliang; CN
耿玉洁 GENG, Yujie; CN
马怀超 MA, Huaichao; CN
Агент:
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层张天舒 ZHANG, Tianshu 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Дата приоритета:
201610409464.712.06.2016CN
Название (EN) METHOD FOR FORMING THIN FILM AND METHOD FOR FORMING ALUMINIUM NITRIDE THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MINCE ET APPAREIL DE FORMATION DE FILM MINCE EN NITRURE D’ALUMINIUM
(ZH) 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法
Реферат:
(EN) A method for forming a thin film and a method for forming an aluminium nitride thin film. Two pre-sputtering processes having different process parameters are performed before primary sputtering to achieve the effect of stabilizing the status of a target. The method for forming a thin film can form an aluminium nitride thin film on a substrate, and the aluminium nitride thin film can be applied to a buffer layer between the substrate and a gallium nitride layer in an electronic device.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un film mince et un procédé de formation d'un film mince en nitrure d'aluminium. Deux processus de pré-pulvérisation ayant des paramètres de traitement différents sont effectués avant la pulvérisation primaire afin d'obtenir l'effet de stabilisation de l'état d'une cible. Le procédé de formation d'un film mince peut former un film mince en nitrure d'aluminium sur un substrat, et le film mince en nitrure d'aluminium peut être appliqué sur une couche tampon entre le substrat et une couche de nitrure de gallium dans un dispositif électronique.
(ZH) 一种形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法，利用主溅射之前先进行两次具有不同工艺参数的预溅射达到稳定靶材状况的效果。形成薄膜的方法可在基板上形成氮化铝薄膜，氮化铝薄膜可用于电子装置中位于基板与氮化镓层之间的缓冲层。
 front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Китайский (ZH)
Язык подачи: Китайский (ZH)