Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2017210534) HETERO-STRUCTURE-BASED INTEGRATED PHOTONIC DEVICES, METHODS AND APPLICATIONS
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро    Отправить комментарий

№ публикации: WO/2017/210534 № международной заявки: PCT/US2017/035646
Дата публикации: 07.12.2017 Дата международной подачи: 02.06.2017
МПК:
H01S 5/02 (2006.01) ,H01S 5/22 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
S
Устройства со стимулированным излучением
5
Полупроводниковые лазеры
02
конструктивные детали или компоненты, не влияющие на работу лазера
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
S
Устройства со стимулированным излучением
5
Полупроводниковые лазеры
20
структура или форма полупроводниковой подложки для направления оптической волны
22
с чередующимися гребнями и бороздками
Заявители:
UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. [US/US]; 12201 Research Parkway, Suite 501 Orlando, FL 32826, US
Изобретатели:
FATHPOUR, Sasan; US
CHILES, Jeffrey; US
Агент:
NOTO, Joseph, M.; US
GREENER, William; US
NOCILLY, David, L.; US
MCGUIRE, George, R.; US
PRICE, Frederick, Jm; US
Дата приоритета:
62/345,39303.06.2016US
Название (EN) HETERO-STRUCTURE-BASED INTEGRATED PHOTONIC DEVICES, METHODS AND APPLICATIONS
(FR) DISPOSITIFS PHOTONIQUES INTÉGRÉS BASÉS SUR UNE HÉTÉROSTRUCTURE, PROCÉDÉS ET APPLICATIONS
Реферат:
(EN) An integrated photonic structure and a method of fabrication are provided which includes: a substrate having at least one opening disposed therein; a semiconductor stack disposed above the substrate, the semiconductor stack being, at least in part, isolated from the underlying substrate by the at least one opening to define a suspended semiconductor membrane; and a first doped region and a second doped region located within the suspended semiconductor membrane, wherein the first doped region is laterally separated from the second doped region by an optically active region disposed therein that defines a waveguiding region of the integrated photonic structure.
(FR) L'invention concerne une structure photonique intégrée et un procédé de fabrication comprenant : un substrat présentant au moins une ouverture ménagée en son sein ; un empilement de semi-conducteurs ménagé au-dessus du substrat, l'empilement de semi-conducteurs étant, au moins en partie, isolé du substrat sous-jacent par ladite ouverture de façon à délimiter une membrane semi-conductrice suspendue ; et des première et seconde régions dopées situées à l'intérieur de la membrane semi-conductrice suspendue, la première région dopée étant séparée latéralement de la seconde région dopée par une région optiquement active ménagée en son sein qui délimite une région de guide d'ondes de la structure photonique intégrée.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)