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1. (WO2017172624) METHOD AND APPARATUS FOR POLARIZED LIGHT WAFER INSPECTION
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№ публикации: WO/2017/172624 № международной заявки: PCT/US2017/024326
Дата публикации: 05.10.2017 Дата международной подачи: 27.03.2017
МПК:
H01L 21/66 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
66
испытания или измерения в процессе изготовления или обработки
Заявители:
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Изобретатели:
LIU, Sheng; US
ZHAO, Guoheng; US
Агент:
MCANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M. N.; US
Дата приоритета:
15/468,60824.03.2017US
62/314,36228.03.2016US
Название (EN) METHOD AND APPARATUS FOR POLARIZED LIGHT WAFER INSPECTION
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL D'INSPECTION DE GALETTE PAR LUMIÈRE POLARISÉE
Реферат:
(EN) Disclosed are methods and apparatus for inspecting a semiconductor sample. This system comprises an illumination optics subsystem for generating and directing an incident beam towards a defect on a surface of a wafer. The illumination optics subsystem includes a light source for generating the incident beam and one or more polarization components for adjusting a ratio and/or a phase difference for the incident beam's electric field components. The system further includes a collection optics subsystem for collecting scattered light from the defect and/or surface in response to the incident beam, and the collection optics subsystem comprises an adjustable aperture at the pupil plane, followed by a rotatable waveplate for adjusting a phase difference of electric field components of the collected scattered light, followed by a rotatable analyzer. The system also includes a controller that is configured for (i) selecting a polarization of the incident beam, (ii) obtaining a defect scattering map, (iii) obtaining a surface scattering map, and (iv) determining a configuration of the one or more polarization components, aperture mask, and rotatable ¼ waveplate, and analyzer based on analysis of the defect and surface scattering map so as to maximize a defect signal to noise ratio.
(FR) L'invention concerne des procédés et des appareils pour inspecter un échantillon de semiconducteur. Le système selon l'invention comprend un sous-système optique d'éclairage destiné à générer et à diriger un faisceau incident vers un défaut sur une surface d'une galette. Le sous-système d'optique d'éclairage comprend une source de lumière destinée à générer le faisceau incident et un ou plusieurs composants de polarisation destinés à régler un rapport et/ou une différence de phase pour les composants de champ électrique du faisceau incident. Le système comprend en outre un sous-système optique de collecte destiné à collecter la lumière diffusée depuis le défaut et/ou la surface en réponse au faisceau incident, et le sous-système optique de collecte comprend une ouverture réglable au niveau du plan de pupille, suivie d'une lame d'onde rotative destinée à régler une différence de phase de composantes de champ électrique de la lumière diffusée collectée, suivie par un analyseur rotatif. Le système comprend également un contrôleur qui est configuré pour (i) sélectionner une polarisation du faisceau incident, (ii) obtenir une carte de diffusion de défauts, (iii) obtenir une carte de diffusion de surface, et (iv) déterminer une configuration d'un ou plusieurs des éléments composants de polarisation, masque d'ouverture et lame de quart d'onde rotative, et analyseur, en se basant sur l'analyse du défaut et de la carte de diffusion de surface de façon à maximiser un rapport signal/bruit du défaut.
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Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)