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1. (WO2017041056) CHEMICALLY-SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTORS, SYSTEMS, AND METHODS FOR MANUFACTURING AND USING THE SAME
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№ публикации: WO/2017/041056 № международной заявки: PCT/US2016/050295
Дата публикации: 09.03.2017 Дата международной подачи: 02.09.2016
МПК:
G01N 27/403 (2006.01)
G ФИЗИКА
01
Измерение; испытание
N
Исследование или анализ материалов путем определения их химических или физических свойств
27
Исследование или анализ материалов с помощью электрических, электрохимических или магнитных средств
26
путем определения электрохимических параметров; путем электролиза или электрофореза
403
блоки ячеек и электродов
Заявители:
AGILOME, INC. [US/US]; 4225 Executive Square La Jolla, CA 92037, US
Изобретатели:
HOFFMAN, Paul; US
Агент:
CLEARY, James, P.; US
ADAMS, Lisa; US
AMENDT, Kevin, C.; US
ASHRAF, Shovon; US
AZRIN, Linda, B.; US
Дата приоритета:
14/963,25309.12.2015US
15/065,74409.03.2016US
15/182,53314.06.2016US
15/225,76401.08.2016US
15/239,80017.08.2016US
62/213,11202.09.2015US
62/213,11702.09.2015US
62/213,15102.09.2015US
62/214,85004.09.2015US
62/214,89204.09.2015US
62/214,90104.09.2015US
62/214,91004.09.2015US
62/214,91204.09.2015US
62/215,01806.09.2015US
Название (EN) CHEMICALLY-SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTORS, SYSTEMS, AND METHODS FOR MANUFACTURING AND USING THE SAME
(FR) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP CHIMIQUEMENT SENSIBLES, SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE FABRICATION ET D'UTILISATION ASSOCIÉS
Реферат:
(EN) This invention concerns Chemically-sensitive Field Effect Transistors (ChemFETs) that are preferably fabricated using semiconductor fabrication methods on a semiconductor wafer, and in preferred embodiments, on top of an integrated circuit structure made using semiconductor fabrication methods. The instant ChemFETs typically comprise a conductive source, a conductive drain, and a channel composed of a one-dimensional (ID) or two-dimensional (2D) transistor nanomaterial, which channel extends from the source to the drain and is fabricated using semiconductor fabrication techniques on top of a wafer. The ChemFET also includes a gate, often the gate voltage is provided through a fluid or solution proximate the ChemFET. Such ChemFETs, preferably configured in independently addressable arrays, may be employed to detect a presence and/or concentration changes of various analyte types in chemical and/or biological samples, including nucleic acid hybridization and/or sequencing reactions.
(FR) La présente invention concerne des transistors à effet de champ chimiquement sensibles (ChemFET) qui sont de préférence fabriqués selon des procédés de fabrication de semi-conducteur sur une tranche de semi-conducteur et, dans des modes de réalisation préférés, sur le dessus d'une structure à circuits intégrés fabriquée selon des procédés de fabrication de semi-conducteur. Les ChemFET instantanés comprennent généralement une source conductrice, un drain conducteur et un canal en un nanomatériau de transistor unidimensionnel (1D) ou bidimensionnel (2D). Le canal s'étend de la source au drain et il est fabriqué selon des techniques de fabrication de semi-conducteur sur le dessus d'une tranche. Le ChemFET comprend également une grille. La tension de la grille est souvent délivrée par l'intermédiaire d'un fluide ou d'une solution à proximité du ChemFET. De tels ChemFET, de préférence agencés en réseaux adressables de manière indépendante, peuvent être utilisés pour détecter une présence et/ou des changements de concentration de divers types d'analytes dans des échantillons chimiques et/ou biologiques, notamment des réactions d'hybridation et/ou de séquençage d'acide nucléique.
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Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)