Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2017002564) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро

№ публикации: WO/2017/002564 № международной заявки: PCT/JP2016/067108
Дата публикации: 05.01.2017 Дата международной подачи: 08.06.2016
МПК:
C23C 14/02 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
23
Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C
Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
14
Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие
02
предварительная обработка покрываемого материала
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
05
Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
H
Плазменная техника ; получение или ускорение электрически заряженных частиц или нейтронов ; получение или ускорение пучков нейтральных молекул или атомов
1
Получение плазмы; управление плазмой
24
генерирование плазмы
46
с использованием внешних электромагнитных полей, например высокой или сверхвысокой частоты
Заявители:
株式会社 アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
Изобретатели:
藤長 徹志 FUJINAGA, Tetsushi; JP
井堀 敦仁 IHORI, Atsuhito; JP
松本 昌弘 MATSUMOTO, Masahiro; JP
谷 典明 TANI, Noriaki; JP
岩井 治憲 IWAI, Harunori; JP
岩田 賢二 IWATA, Kenji; JP
佐藤 良直 SATO, Yoshinao; JP
Агент:
恩田 誠 ONDA, Makoto; JP
Дата приоритета:
2015-12970029.06.2015JP
Название (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
Реферат:
(EN) Provided is a substrate processing device comprising an anode unit (17) that includes a first plate (23) and a second plate (24). The first plate (23) includes a plurality of first through-holes (23a), and by causing a gas to flow through the first through-holes, causes the gas to diffuse in the direction of the surface of the first plate (23). The second plate (24) includes a plurality of second through-holes (24a) that are larger than the first through-holes (23a). The second plate (24) causes the gas that has passed through the first through-holes (23a) to flow between the second plate (24) and a cathode stage through the plurality of second through-holes (24a). The second through-holes (24a) have a shape such that the emission intensity of plasma inside each second through-hole can be made higher than the emission intensity of plasma generated between the second plate (24) and the cathode stage.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat comprenant une unité d'anode (17) qui comprend une première plaque (23) et une deuxième plaque (24). La première plaque (23) comprend une pluralité de premiers trous traversants (23a), et en amenant un gaz à s'écouler à travers les premiers trous traversants, amène le gaz à diffuser dans la direction de la surface de la première plaque (23). La deuxième plaque (24) comprend une pluralité de deuxièmes trous traversants (24a) qui sont plus grands que les premiers trous traversants (23a). La deuxième plaque (24) amène le gaz qui a traversé les premiers trous traversants (23a) à s'écouler entre la deuxième plaque (24) et un étage de cathode à travers la pluralité de deuxièmes trous traversants (24a). Les deuxièmes trous traversants (24a) ont une forme telle que l'intensité d'émission de plasma à l'intérieur de chaque deuxième trou traversant puisse être rendue supérieure à l'intensité d'émission de plasma générée entre la deuxième plaque (24) et l’étage de cathode.
(JA) 基板処理装置は、第1プレート(23)と第2プレート(24)とを含むアノードユニット(17)を備える。第1プレート(23)は複数の第1貫通孔(23a)を含み、第1貫通孔を通じてガスを流すことによって、ガスを第1プレート(23)の面方向へ拡散させる。第2プレート(24)は、第1貫通孔(23a)よりも大きい複数の第2貫通孔(24a)を含む。第2プレート(24)は、第1貫通孔(23a)を通過したガスを、複数の第2貫通孔(24a)を通じて第2プレート(24)とカソードステージとの間に流す。第2貫通孔(24a)は、各第2貫通孔の内部におけるプラズマの発光強度が、第2プレート(24)とカソードステージとの間に生成されるプラズマの発光強度よりも高められる形状を有している。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)