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1. (WO2016158923) MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро   

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№ публикации:    WO/2016/158923    № международной заявки:    PCT/JP2016/060056
Дата публикации: 06.10.2016 Дата международной подачи: 29.03.2016
МПК:
H01L 43/10 (2006.01), G01R 33/09 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01F 10/14 (2006.01), H01F 10/16 (2006.01), H01F 10/26 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Заявители: TDK CORPORATION [JP/JP]; 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023 (JP)
Изобретатели: SASAKI Tomoyuki; (JP)
Агент: TANAI Sumio; (JP)
Дата приоритета:
2015-071409 31.03.2015 JP
Название (EN) MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
(JA) 磁気抵抗効果素子
Реферат: front page image
(EN)This magnetoresistive effect element has a first ferromagnetic metal layer, a second ferromagnetic metal layer, and a tunnel barrier layer sandwiched between the first and second ferromagnetic metal layers, wherein: the tunnel barrier layer has a spinel structure represented by the compositional formula AB2Ox(0
(FR)L'invention concerne un élément à effet magnétorésistif qui comporte une première couche de métal ferromagnétique, une deuxième couche de métal ferromagnétique et une couche barrière à effet tunnel, prise en sandwich entre les première et deuxième couches de métal ferromagnétique. Dans cet élément, la couche barrière à effet tunnel comporte une structure de spinelle représentée par la formule de composition AB2Ox(0<x≤4), et présente un agencement irrégulier d'ions positifs ; la couche barrière à effet tunnel comporte une partie à réseau cristallin correspondant, qui correspond à la fois au réseau cristallin de la première couche de métal ferromagnétique et à celui de la deuxième couche de métal ferromagnétique, et une partie à réseau cristallin non correspondant qui ne correspond pas au réseau cristallin de la première couche de métal ferromagnétique et/ou à celui de la deuxième couche de métal ferromagnétique ; le site A représente des ions positifs divalents d'une pluralité d'éléments non magnétiques ; le site B représente des ions aluminium ; et le nombre d'atomes des ions positifs divalents de la formule de composition est inférieur à la moitié du nombre d'atomes des ions d'aluminium de celle-ci.
(JA) この磁気抵抗効果素子では、第一の強磁性金属層と、第二の強磁性金属層と、前記第一及び第二の強磁性金属層に挟持されたトンネルバリア層と、を有し、前記第一及び第二の強磁性金属層に挟持されたトンネルバリア層と、を有し、前記トンネルバリア層は、AB(0<x≦4)という組成式で表され、陽イオンの配列が不規則化したスピネル構造であり、前記トンネルバリア層は、前記第一の強磁性金属層と前記第二の強磁性金属層の両方と格子整合している格子整合部と、前記第一の強磁性金属層と前記第二の強磁性金属層の少なくとも一方と格子整合していない格子不整合部と、を有し、Aサイトは複数の非磁性元素の二価の陽イオンであり、Bサイトはアルミニウムイオンであり、前記組成式において二価の陽イオンの元素数がアルミニウムイオンの元素数の半分未満である。
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Язык публикации: Japanese (JA)
Язык подачи: Japanese (JA)