Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2015043957) MIRROR BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY WITHOUT EXPANSION UNDER EUV RADIATION
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро   

№ публикации: WO/2015/043957 № международной заявки: PCT/EP2014/069302
Дата публикации: 02.04.2015 Дата международной подачи: 10.09.2014
МПК:
C03C 3/06 (2006.01) ,C03B 19/14 (2006.01) ,G02B 5/08 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
03
Стекло; минеральная и шлаковая вата
C
Химический состав стекла, глазурей или эмалей; обработка поверхности стекла; обработка поверхности волокон или нитей из стекла, минералов или шлака; соединение стекла со стеклом или с другими материалами
3
Составы для изготовления стекла
04
содержащие кремнезем
06
с более чем 90% кремнезема по весу, например кварц
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
03
Стекло; минеральная и шлаковая вата
B
Производство или формование стекла или минеральной или шлаковой ваты; побочные процессы в производстве или формовании стекла или минеральной или шлаковой ваты
19
Другие способы формования стекла
14
газофазными способами
G ФИЗИКА
02
Оптика
B
Оптические элементы, системы или приборы
5
Оптические элементы иные, чем линзы
08
зеркала
G ФИЗИКА
03
Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография
F
Фотомеханическое изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например для печати, для изготовления полупроводниковых приборов; материалы для этих целей; оригиналы для этих целей; устройства, специально приспособленные для этих целей
7
Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности; материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты; устройства, специально приспособленные для этих целей
20
экспонирование, устройства для этой цели
Заявители:
HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG [DE/DE]; Quarzstraße 8 63450 Hanau, DE
Изобретатели:
BECKER, Klaus; DE
THOMAS, Stephan; DE
Дата приоритета:
10 2013 219 808.630.09.2013DE
Название (EN) MIRROR BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY WITHOUT EXPANSION UNDER EUV RADIATION
(FR) POLI-MIROIR POUR LITHOGRAPHIE EUV SANS EXPANSION DUE AU RAYONNEMENT EUV
(DE) SPIEGELBLANK FÜR EUV LITHOGRAPHIE OHNE AUSDEHNUNG UNTER EUV-BESTRAHLUNG
Реферат:
(EN) The present invention relates to a substrate for an EUV mirror which has a zero crossing temperature profile that is different from the statistical distribution. The invention further relates to a method for producing a substrate for an EUV mirror and to the use thereof, the zero crossing temperature profile in the substrate being adapted to the operating temperature of the mirror. The invention also relates to a lithography method using said substrate.
(FR) La présente invention concerne un substrat destiné à un miroir EUV dont la courbe de température de passage par zéro s'écarte de la courbe de distribution statistique. En outre, l'invention concerne un procédé de production d'un substrat destiné à un miroir EUV et son utilisation, la courbe de température de passage par zéro dans le substrat étant ajustée à la température de fonctionnement du miroir, ainsi qu'un procédé de lithographie utilisant un tel substrat.
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Substrat für einen EUV-Spiegel, das einen von der statistischen Verteilung abweichenden Verlauf der Nulldurchgangstemperatur aufweist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Substrates für einen EUV-Spiegel und dessen Verwendung, wobei der Verlauf der Nulldurchgangstemperatur im Substrat der Betriebstemperatur des Spiegels angepasst ist sowie ein Lithographieverfahren unter Verwendung eines solchen Substrates.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Немецкий (DE)
Язык подачи: Немецкий (DE)