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1. (WO2014197715) IMPROVED WAFER CARRIER HAVING THERMAL UNIFORMITY-ENHANCING FEATURES
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро   

№ публикации: WO/2014/197715 № международной заявки: PCT/US2014/041134
Дата публикации: 11.12.2014 Дата международной подачи: 05.06.2014
МПК:
H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01)
Заявители: VEECO INSTRUMENTS INC.[US/US]; Terminal Drive Plainview, NY 11803, US
Изобретатели: ARMOUR, Eric; US
KRISHNAN, Sandeep; US
ZHANG, Alex; US
MITROVIC, Bojan; US
GURARY, Alexander; US
Агент: BRAGINSKY, Vadim; US
Дата приоритета:
61/831,49605.06.2013US
Название (EN) IMPROVED WAFER CARRIER HAVING THERMAL UNIFORMITY-ENHANCING FEATURES
(FR) SUPPORT DE TRANCHE PERFECTIONNÉ PRÉSENTANT DES CARACTÉRISTIQUES AMÉLIORANT L'UNIFORMITÉ THERMIQUE
Реферат: front page image
(EN) A wafer carrier assembly for use in a system for growing epitaxial layers on one or more wafers by chemical vapor deposition (CVD), the wafer carrier assembly includes a wafer carrier body formed symmetrically about a central axis, and including a generally planar top surface that is situated perpendicularly to the central axis and a planar bottom surface that is parallel to the top surface. At least one wafer retention pocket is recessed in the wafer carrier body from the top surface. Each of the at least one wafer retention pocket includes a floor surface and a peripheral wall surface that surrounds the floor surface and defines a periphery of that wafer retention pocket. At least one thermal control feature includes an interior cavity or void formed in the wafer carrier body and is defined by interior surfaces of the wafer carrier body.
(FR) La présente invention se rapporte à un ensemble support de tranche destiné à être utilisé dans un système permettant de faire croître des couches épitaxiales sur une ou plusieurs tranches par un dépôt chimique en phase vapeur (CVD pour Chemical Vapor Deposition), l'ensemble support de tranche comprenant un corps de support de tranche formé symétriquement autour d'un axe central et comprenant une surface supérieure généralement plane qui est située perpendiculairement à l'axe central, et une surface inférieure plane qui est parallèle à la surface supérieure. Au moins une poche de rétention de tranche est creusée dans le corps de support de tranche depuis la surface supérieure. Chaque poche de rétention de tranche comprend une surface de fond et une surface de paroi périphérique qui entoure la surface de fond et définit la périphérie de cette poche de rétention de tranche. Au moins un élément de régulation thermique comprend une cavité intérieure formée, ou un vide formé, dans le corps de support de tranche et est définit par les surfaces intérieures du corps de support de tranche.
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)