Поиск по международным и национальным патентным фондам
Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2014111314) SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING HARDNESS BUFFER AND USE THEREOF
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро

№ публикации: WO/2014/111314 № международной заявки: PCT/EP2014/050395
Дата публикации: 24.07.2014 Дата международной подачи: 10.01.2014
МПК:
H01L 21/02 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
Заявители:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München, DE
Изобретатели:
DIMROTH, Frank; DE
KLINGER, Vera; DE
Агент:
PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR; Theresienhöe 13 80339 München, DE
Дата приоритета:
10 2013 000 882.418.01.2013DE
Название (DE) HALBLEITERBAUELEMENT MIT HÄRTEPUFFER UND DESSEN VERWENDUNG
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING HARDNESS BUFFER AND USE THEREOF
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DOTÉ D'UN TAMPON DE DURETÉ ET SON UTILISATION
Реферат:
(DE) Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, welches einen gegenüber dem Stand der Technik verbesserten Härtepuffer aufweist. Dadurch werden geringere durchstoßende Versetzungsdichten, vor allem für Pufferschichten mit ansteigender Gitterkonstante, erreicht. Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement kann es sich um eine Solarzelle handeln. In diesem Fall wird durch den verbesserten Härtepuffer eine wesentlich höhere Effizienz der Solarzelle im Vergleich mit herkömmlichen Solarzellen beobachtet. Weiterhin wird die Verwendung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements oder der erfindungsgemäßen Mehrfachsolarzelle zur Stromerzeugung in Satelliten im Weltraum oder in terrestrischen photovoltaischen Konzentratorsystemen vorgeschlagen.
(EN) The invention relates to a semiconductor component that has an improved hardness buffer compared to the prior art. Lower penetrating dislocation densities are achieved thereby, especially for buffer layers having an increasing lattice constant. The semiconductor component according to the invention can be a solar cell. In this case a substantially higher efficiency of the solar cell is observed compared to conventional solar cells, thanks to the improved hardness buffer. The invention further relates to the use of the semiconductor component according to the invention or of the multiple solar cell according to the invention for energy generation in satellites in space or in terrestrial photovoltaic concentrator systems.
(FR) L'invention concerne un élément semi-conducteur présentant un tampon de dureté amélioré par rapport à l'état de la technique, ce qui permet d'obtenir des densités de dislocations émergentes réduites surtout pour des couches tampons aux constantes de réseau croissantes. L'élément semi-conducteur selon l'invention peut être une cellule solaire. Dans ce cas, le tampon de dureté amélioré permet d'observer une nette augmentation de l'efficacité de la cellule solaire par rapport aux cellules solaires classiques. En outre, il est proposé d'utiliser l'élément semi-conducteur selon l'invention ou la cellule solaire multiple selon l'invention pour produire de l'électricité dans les satellites dans l'espace ou bien dans des systèmes concentrateurs photovoltaïques terrestres.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Немецкий (DE)
Язык подачи: Немецкий (DE)