Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2014083218) METHOD FOR PRODUCING A DIELECTRIC AND/OR BARRIER LAYER OR MULTILAYER ON A SUBSTRATE, AND DEVICE FOR IMPLEMENTING SAID METHOD
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро

№ публикации: WO/2014/083218 № международной заявки: PCT/ES2013/000264
Дата публикации: 05.06.2014 Дата международной подачи: 27.11.2013
Требованиe в соответствии с Главой 2 подано: 29.09.2014
МПК:
C23C 14/10 (2006.01) ,C23C 14/35 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,C23C 16/509 (2006.01)
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
23
Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C
Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
14
Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие
06
характеризуемые покрывающим материалом
10
стекло или кремнезем
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
23
Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C
Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
14
Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие
22
характеризуемые способом покрытия
34
распыление металлов
35
с использованием магнитного поля, например распыление магнетроном
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
23
Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C
Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
16
Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП)
22
характеризуемые осаждением неорганического материала иного, чем металлический
30
осаждение соединений, смесей или твердых растворов, например боридов, карбидов, нитридов
40
оксиды
C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
23
Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C
Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
16
Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП)
44
характеризуемые способом покрытия
50
путем использования электрических разрядов
505
с использованием радиочастотных разрядов
509
с использованием внутренних электродов
Заявители:
ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. [ES/ES]; Campus Palmas Altas C/ Energía Solar, 1 E-41014 - Sevilla, ES
Изобретатели:
GIL ROSTRA, Jorge; ES
RICO GAVIRA, Victor; ES
YUBERO VALENCIA, Francisco; ES
ESPINÓS MANZORRO, Juan Pedro; ES
RODRÍGUEZ GONZÁLEZ-ELIPE, Agustín; ES
SÁNCHEZ CORTEZÓN, Emilio; ES
DELGADO SÁNCHEZ, Jose María; ES
Агент:
GARCIA-CABRERIZO Y DEL SANTO, Pedro Maria; Vitruvio, 23 E-28006 Madrid, ES
Дата приоритета:
12380053.428.11.2012EP
Название (EN) METHOD FOR PRODUCING A DIELECTRIC AND/OR BARRIER LAYER OR MULTILAYER ON A SUBSTRATE, AND DEVICE FOR IMPLEMENTING SAID METHOD
(ES) PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE UNA CAPA O MULTICAPA BARRERA Y/O DIELÉCTRICA SOBRE UN SUSTRATO Y DISPOSITIVO PARA SU REALIZACIÓN
(FR) PROCÉDÉ POUR LA PRÉPARATION D'UNE COUCHE OU DE PLUSIEURS COUCHES FORMANT BARRIÈRE ET/OU DE TYPE DIÉLECTRIQUE SUR UN SUBSTRAT ET DISPOSITIF POUR SA MISE EN OEUVRE
Реферат:
(EN) The invention relates to a method for producing dielectric and/or barrier layers on a substrate, characterised in that it comprises the following steps: (a) cleaning substrates, (b) placing the substrate in a sample carrier and introducing same into a vacuum chamber, (c) dosing an inert gas and a reactive gas into said vacuum chamber, (d) injecting, into said vacuum chamber, a volatile precursor that has at least one cation of the compound to be deposited, (e) activating a radiofrequency source and activating at least one magnetron, (f) decomposition of the volatile precursor by plasma, producing the reaction between the cation of the volatile precursor and the reactive gas at the same time as the reaction is produced between the reactive gas contained in the plasma with the cation generated from the target by cathode sputtering, thereby generating the deposition of the film on the substrate. The invention also relates to the device for carrying out said method.
(ES) La presente invención se refiere a un procedimiento para la preparación de capas barrera y/o dieléctricas sobre un sustrato caracterizado por que comprende las siguientes etapas: (a) limpieza de sustratos, (b) colocación del sustrato en un porta muestras e introducción del mismo en el interior de una cámara de vacío, (c) dosificación en dicha cámara de vacío de un gas inerte y un gas reactivo, (d) inyección en la cámara de vacío de un precursor volátil que tenga al menos un catión del compuesto a depositar, (e) activación de una fuente de radiofrecuencia y activación de al menos un magnetrón, (f) descomposición del precursor volátil por plasma, produciéndose la reacción entre el catión del precursor volátil y el gas reactivo al mismo tiempo que se produce la reacción entre el gas reactivo contenido en el plasma con el catión procedente del blanco por pulverización catódica, provocando así la deposición de la película sobre el sustrato. Es también objeto de la invención el dispositivo para llevar a cabo dicho procedimiento.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour la préparation d'une couche ou de plusieurs couches formant barrière et/ou de type diélectrique sur un substrat, lequel procédé est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: (a) nettoyage des substrats, (b) mise en place du substrat dans un porte-échantillons et introduction de ce dernier dans une chambre à vide, (c) dosage dans ladite chambre d'un gaz inerte et d'un gaz réactif, (d) injection dans la chambre à vide d'un précurseur volatil qui comporte au moins un cation du composé à déposer, (e) activation d'une source de radiofréquence et activation d'au moins un magnétron, (f) décomposition du précurseur volatil par plasma, la réaction se produisant entre le cation du précurseur volatil et le gaz réactif en même temps que se produit la réaction entre le gaz réactif contenu dans le plasma avec le cation provenant de la cible par pulvérisation cathodique, provoquant ainsi le dépôt de la pellicule sur le substrat. La présente invention porte également sur le dispositif permettant de mettre en oeuvre ledit procédé.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Испанский (ES)
Язык подачи: Испанский (ES)
Также опубликовано как:
CN104955978KR1020150099764US20150325418ES2542252