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1. (WO2014010140) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро   

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№ публикации:    WO/2014/010140    № международной заявки:    PCT/JP2013/000903
Дата публикации: 16.01.2014 Дата международной подачи: 19.02.2013
МПК:
H01S 5/022 (2006.01), H01L 23/02 (2006.01), H01L 23/10 (2006.01), H01L 33/48 (2010.01)
Заявители: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Изобретатели: HAGINO, Hiroyuki; .
YOSHIDA, Shinji; .
MORIMOTO, Kiyoshi;
Агент: MAEDA & PARTNERS; Osaka-Marubeni Bldg.5F, 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Дата приоритета:
2012-155302 11.07.2012 JP
Название (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体発光装置
Реферат: front page image
(EN)A nitride semiconductor light emitting device is provided with a nitride semiconductor light emitting element (3), and a package (10) that houses the nitride semiconductor light emitting element (3). The package (10) has: a base (11) having an opening (11c); a cap (30) constituting, with the base (11), a housing space for housing the nitride semiconductor light emitting element (3); lead pins (14a, 14b), which pass through the opening (11c), and which are electrically connected to the nitride semiconductor light emitting element (3); and insulating members (17a, 17b), which are embedded in the opening (11c), and which insulate the base (11) and the lead pins (14a, 14b) from each other. Each of the insulating members (17a, 17b) has at least a portion facing the housing space formed of a first insulating material not containing Si-O binding.
(FR)L'invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteur au nitrure qui est pourvu d'un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure (3) et d'un boîtier (10) qui loge l'élément électroluminescent semi-conducteur au nitrure (3). Le boîtier (10) possède : une base (11) ayant une ouverture (11c); un capuchon (30) constituant, avec la base (11), un espace de logement pour loger l'élément électroluminescent semi-conducteur au nitrure (3); des broches conductrices (14a, 14b), qui passent à travers l'ouverture (11c) et qui sont électriquement connectées à l'élément électroluminescent semi-conducteur au nitrure (3); des éléments isolants (17a, 17b) qui sont intégrés dans l'ouverture (11c) et qui isolent la base (11) et les broches conductrices (14a, 14b) les unes des autres. Chacun des éléments isolants (17a, 17b) possède au moins une partie qui fait face à l'espace de logement formé en un premier matériau isolant ne contenant pas de liaison Si-O.
(JA) 窒化物半導体発光装置は、窒化物半導体発光素子3と、窒化物半導体発光素子3を収容するパッケージ10とを備えている。パッケージ10は、開口部11cを有する基台11と、基台11と共に窒化物半導体発光素子3を収容する収容空間を構成するキャップ30と、開口部11cを通り、窒化物半導体発光素子3と電気的に接続されたリードピン14a、14bと、開口部11cに埋め込まれ、基台11とリードピン14a、14bとを絶縁する絶縁部材17a、17bとを有している。絶縁部材17a、17bは、少なくとも収容空間に面する部分が、Si-O結合を含まない第1の絶縁材料からなる。
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Язык публикации: Japanese (JA)
Язык подачи: Japanese (JA)