Поиск по международным и национальным патентным фондам
Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2013095343) GROUP III-N NANOWIRE TRANSISTORS
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро

№ публикации: WO/2013/095343 № международной заявки: PCT/US2011/065919
Дата публикации: 27.06.2013 Дата международной подачи: 19.12.2011
МПК:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
68
управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
76
униполярные приборы
772
полевые транзисторы
78
с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
334
многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов
335
полевых транзисторов
336
с изолированным затвором
Заявители:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard MS: RNB-4-150 Santa Clara, California 95052, US (AllExceptUS)
THEN, Han Wui [MY/US]; US (UsOnly)
CHAU, Robert [US/US]; US (UsOnly)
CHU-KUNG, Benjamin [US/US]; US (UsOnly)
DEWEY, Gilbert [US/US]; US (UsOnly)
KAVALIEROS, Jack [US/US]; US (UsOnly)
METZ, Matthew V. [US/US]; US (UsOnly)
MUKHERJEE, Niloy [IN/US]; US (UsOnly)
PILLARISETTY, Ravi [US/US]; US (UsOnly)
RADOSAVLJEVIC, Marko [US/US]; US (UsOnly)
Изобретатели:
THEN, Han Wui; US
CHAU, Robert; US
CHU-KUNG, Benjamin; US
DEWEY, Gilbert; US
KAVALIEROS, Jack; US
METZ, Matthew V.; US
MUKHERJEE, Niloy; US
PILLARISETTY, Ravi; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
Агент:
VINCENT, Lester J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94086, US
Дата приоритета:
Название (EN) GROUP III-N NANOWIRE TRANSISTORS
(FR) TRANSISTORS À NANOFILS DU GROUPE III-N
Реферат:
(EN) A group III-N nanowire is disposed on a substrate. A longitudinal length of the nanowire is defined into a channel region of a first group III-N material, a source region electrically coupled with a first end of the channel region, and a drain region electrically coupled with a second end of the channel region. A second group III-N material on the first group III-N material serves as a charge inducing layer, and/or barrier layer on surfaces of nanowire. A gate insulator and/or gate conductor coaxially wraps completely around the nanowire within the channel region. Drain and source contacts may similarly coaxially wrap completely around the drain and source regions.
(FR) La présente invention concerne un nanofil du groupe III-N disposé sur un substrat. Une longueur longitudinale du nanofil est définie dans une région de canal d'une première matière du groupe III-N, une région de source couplée électriquement à une première extrémité de la région de canal et une région de drain couplée électriquement à une seconde extrémité de la région de canal. Une seconde matière du groupe III-N située sur la première matière du groupe III-N sert de couche d'induction de charge et/ou de couche de barrière sur les surfaces de nanofil. Un diélectrique de grille et/ou un conducteur de grille enveloppent coaxialement la totalité du nanofil à l'intérieur de la région de canal. Les contacts de drain et de source peuvent, de façon similaire, envelopper coaxialement la totalité des régions de drain et de source.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)
Также опубликовано как:
US20130279145CN104011868DE112011105945