Поиск по международным и национальным патентным фондам
Часть содержимого этой заявки в данный момент недоступно.
Если такая ситуация продолжится, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2012004913) RADIATION DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро

№ публикации: WO/2012/004913 № международной заявки: PCT/JP2011/002002
Дата публикации: 12.01.2012 Дата международной подачи: 04.04.2011
МПК:
G01T 1/24 (2006.01) ,H01L 31/09 (2006.01)
G ФИЗИКА
01
Измерение; испытание
T
Измерение ядерных излучений или рентгеновских лучей
1
Измерение рентгеновского излучения, гамма-излучения, корпускулярного и космического излучений
16
измерение интенсивности излучения
24
с помощью полупроводниковых детекторов
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
31
Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов
08
в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы
09
приборы, чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению
Заявители:
株式会社島津製作所 SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市中京区西ノ京桑原町1番地 1, Nishinokyo-Kuwabaracho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511, JP (AllExceptUS)
徳田 敏 TOKUDA, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
田邊 晃一 TANABE, Koichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
吉牟田 利典 YOSHIMUTA, Toshinori [JP/JP]; JP (UsOnly)
岸原 弘之 KISHIHARA, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
貝野 正知 KAINO, Masatomo [JP/JP]; JP (UsOnly)
吉松 聖菜 YOSHIMATSU, Akina [JP/JP]; JP (UsOnly)
佐藤 敏幸 SATO, Toshiyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
桑原 章二 KUWABARA, Shoji [JP/JP]; JP (UsOnly)
Изобретатели:
徳田 敏 TOKUDA, Satoshi; JP
田邊 晃一 TANABE, Koichi; JP
吉牟田 利典 YOSHIMUTA, Toshinori; JP
岸原 弘之 KISHIHARA, Hiroyuki; JP
貝野 正知 KAINO, Masatomo; JP
吉松 聖菜 YOSHIMATSU, Akina; JP
佐藤 敏幸 SATO, Toshiyuki; JP
桑原 章二 KUWABARA, Shoji; JP
Агент:
杉谷 勉 SUGITANI, Tsutomu; 大阪府大阪市北区西天満1丁目10番8号 西天満第11松屋ビル Nishitenma No.11 Matsuya Bldg., 10-8, Nishitenma 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047, JP
Дата приоритета:
2010-15405006.07.2010JP
Название (EN) RADIATION DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 放射線検出器およびそれを製造する方法
Реферат:
(EN) The disclosed radiation detector has a radiation-sensitive detection layer provided on a substrate. Said detection layer is a polycrystalline film with an average grain size less than or equal to a pixel pitch. A polycrystalline film comprising for example CdZnTe (cadmium zinc telluride) is formed (CdZnTe film (A)) and actively doped with chlorine at a film chlorine concentration within the range 1-10 ppm (wt), or preferably, 3.1 ppm (wt). The use of a detection layer that is a polycrystalline film with an average grain size less than or equal to the pixel pitch allows the disclosed radiation detector to acquire images that have good inter-pixel characteristics (spatial resolution, sensitivity, and the like). Also, temporal fluctuations are decreased in size, improving detection characteristics related to response characteristics. As a result, detection characteristics are improved.
(FR) L'invention concerne un détecteur de rayonnement comprenant une couche de détection sensible au rayonnement disposée sur un substrat. Ladite couche de détection est un film polycristallin ayant une taille moyenne de grain inférieure ou égale au pas de pixel. Un film polycristallin comprenant par exemple du CdZnTe (tellurure de cadmium-zinc) est formé (film de CdZnTe (A)) et est dopé activement par du chlore à une concentration en chlore du film dans la gamme de 1 à 10 ppm (en poids) ou, de préférence, de 3,1 ppm (en poids). L'utilisation d'une couche de détection constituée par un film polycristallin ayant une taille moyenne de grain inférieure ou égale au pas de pixel permet au détecteur de rayonnement décrit d'acquérir des images présentant de bonnes caractéristiques inter-pixels (résolution spatiale, sensibilité, etc.). Par ailleurs, les fluctuations temporelles sont réduites, cela améliorant les caractéristiques de détection associées aux caractéristiques de réponse. Il en résulte que les caractéristiques de détection sont améliorées.
(JA)  放射線に感応する検出層を基板に備えた放射線検出器であって、平均粒径が画素ピッチ以下の多結晶膜を検出層として形成する。膜Cl濃度が1wtppm~10wtppmの範囲で、より好ましくは3.1wtppmでCl(塩素)を積極的にドープして、例えばCdZnTe(テルル化カドミウム亜鉛)からなる多結晶膜を形成する(CdZnTe膜A)。平均粒径が画素ピッチ以下の多結晶膜を検出層として形成するので、画素間の特性(空間分解能、感度等)の良好な画像を放射線検出器にて得ることができる。また、時間的な揺らぎも小さくなり応答特性に関する検出特性も向上させることができる。その結果、検出特性を向上させることができる。
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация интеллектуальной собственности (АРОИС) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Японский (JA)
Язык подачи: Японский (JA)