Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2009035767) INPUT CIRCUITRY FOR TRANSISTOR POWER AMPLIFIER AND METHOD FOR DESIGNING SUCH CIRCUITRY
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро

№ публикации: WO/2009/035767 № международной заявки: PCT/US2008/070622
Дата публикации: 19.03.2009 Дата международной подачи: 21.07.2008
МПК:
H03F 1/56 (2006.01) ,H03H 7/38 (2006.01) ,H03H 11/28 (2006.01) ,H03F 3/19 (2006.01) ,H03F 3/193 (2006.01)
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
F
Усилители
1
Конструктивные элементы усилителей, выполненные только на разрядных электронных, полупроводниковых или неспецифицированных приборах, используемых в качестве усилительных элементов
56
модификации входных или выходных полных сопротивлений, не предусмотренные в других подгруппах
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
H
Цепи полного (активного и реактивного) сопротивления, например резонансные контуры; резонаторы
7
Многополюсники, содержащие только пассивные электрические элементы в качестве компонентов схемы
38
схемы согласования полных сопротивлений
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
H
Цепи полного (активного и реактивного) сопротивления, например резонансные контуры; резонаторы
11
Схемы с использованием активных элементов
02
многополюсные схемы
28
схемы согласования сопротивлений
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
F
Усилители
3
Усилители, имеющие в качестве усилительных элементов только электронные или только полупроводниковые приборы
189
усилители высокой частоты, например радиочастотные усилители
19
только на полупроводниковых приборах
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
03
Электронные схемы общего назначения
F
Усилители
3
Усилители, имеющие в качестве усилительных элементов только электронные или только полупроводниковые приборы
189
усилители высокой частоты, например радиочастотные усилители
19
только на полупроводниковых приборах
193
на приборах с использованием полевого эффекта
Заявители:
RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, MA 02451-1449, US (AllExceptUS)
WHELAN, Colin, S. [US/US]; US (UsOnly)
TREMBLAY, John, C. [US/US]; US (UsOnly)
Изобретатели:
WHELAN, Colin, S.; US
TREMBLAY, John, C.; US
Агент:
MOFFORD, Donald, F.; Daly, Crowley, Mofford & Durkee, LLP Suite 301A 354A Turnpike St. Canton, Massachusetts 02021, US
Дата приоритета:
11/851,42507.09.2007US
Название (EN) INPUT CIRCUITRY FOR TRANSISTOR POWER AMPLIFIER AND METHOD FOR DESIGNING SUCH CIRCUITRY
(FR) CIRCUIT D'ENTRÉE POUR UN AMPLIFICATEUR ET PROCÉDÉ DE CONCEPTION ASSOCIÉ
Реферат:
(EN) A circuit having: an input matching network, a transistor (14) coupled to an output of the input matching network; and wherein the input matching network (12) has a first input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively low power level and wherein the input matching network (12) has an input impedance different from the first input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively high power level.
(FR) L'invention concerne un circuit comprenant: un réseau d'adaptation d'entrée, un transistor (14) couplé à une sortie du réseau d'adaptation d'entrée; et le réseau d'adaptation d'entrée (12) présentant une première impédance d'entrée, lorsque celui-ci est alimenté par un signal d'entrée présentant un faible niveau de puissance. Le réseau d'adaptation d'entrée (12) présente une impédance d'entrée différente de la première impédance d'entrée, lorsqu'il est alimenté par un signal présentant un niveau de puissance relativement élevé.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)
Также опубликовано как:
KR1020100063767EP2203974CN101796720IN887/KOLNP/2010