Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (WO2005057658) METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, NONCONTACT THIN FILM INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND IDTAG AND COIN INCLUDING THE NONCONTACT THIN FILM INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро

№ публикации: WO/2005/057658 № международной заявки: PCT/JP2004/018978
Дата публикации: 23.06.2005 Дата международной подачи: 14.12.2004
МПК:
G06K 19/077 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/84 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
G ФИЗИКА
06
Обработка данных; вычисление; счет
K
Распознавание данных; представление данных; воспроизведение данных; манипулирование носителями информации; носители информации
19
Носители информации, используемые с машинами, по меньшей мере частично предназначенные для переноса цифровой информации
06
отличающиеся видом цифровой маркировки, например формой, характером, кодом
067
с электропроводными метками, печатными схемами или полупроводниковыми схемными элементами, например кредитные или идентификационные карточки
07
с кристаллами интегральных схем
077
конструктивные элементы, например для монтажа схем на носителе
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
02
изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
04
приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
18
приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками
334
многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов
335
полевых транзисторов
336
с изолированным затвором
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
70
изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей
77
изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее
78
с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов
82
для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов
84
на подложке из неполупроводникового материала, например диэлектрика
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
02
содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером
12
с подложкой из неполупроводника, например диэлектрика
Заявители:
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi Kanagawa 2430036, JP (AllExceptUS)
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; JP (UsOnly)
KOMORI, Miho [JP/JP]; JP (UsOnly)
SATOU, Yurika [JP/JP]; JP (UsOnly)
HOSOKI, Kazue [JP/JP]; JP (UsOnly)
OGITA, Kaori [JP/JP]; JP (UsOnly)
Изобретатели:
YAMAZAKI, Shunpei; JP
KOMORI, Miho; JP
SATOU, Yurika; JP
HOSOKI, Kazue; JP
OGITA, Kaori; JP
Дата приоритета:
2003-41731715.12.2003JP
Название (EN) METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, NONCONTACT THIN FILM INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND IDTAG AND COIN INCLUDING THE NONCONTACT THIN FILM INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE CIRCUIT INTEGRE A FILM MINCE, DISPOSITIF DE CIRCUIT INTEGRE A FILM MINCE SANS CONTACT ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF ET ETIQUETTE ID ET PIECE COMPRENANT LE DISPOSITIF DE CIRCUIT INTEGRE A FILM MINCE SANS CONTACT
Реферат:
(EN) To provide a thin film integrated circuit which is mass produced at low cost, a method for manufacturing a thin film integrated circuit according to the invention includes the steps of: forming a peel-off layer over a substrate; forming a base film over the peel-off layer; forming a plurality of thin film integrated circuits over the base film; forming a groove at the boundary between the plurality of thin film integrated circuits; and introducing a gas or a liquid containing halogen fluoride into the groove, thereby removing the peel-off layer; thus, the plurality of thin film integrated circuits are separated from each other.
(FR) Afin d'obtenir un circuit intégré à film mince à production massive et à faible coût, on met en oeuvre un procédé de fabrication d'un circuit intégré à film mince consistant à: former une couche pelable sur un substrat; former un film de base sur ladite couche; former une pluralité de circuits intégrés à film mince sur le film de base; former une rainure à la limite entre la pluralité de circuits intégrés à film mince; et introduire un gaz ou un liquide contenant un fluorure d'halogène dans la rainure, ce qui a pour effet de retirer la couche pelable; la pluralité de circuits intégrés à film mince sont alors séparés.
front page image
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Африканская региональная организация промышленной собственности (АРОПС) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийское патентное ведомство (ЕАПВ) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Африканская организация интеллектуальной собственности (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)
Также опубликовано как:
KR1020070001093JP2005203762US20070166954CN1894796KR1020110129499