WIPO logo
Мобильная версия | Deutsch | English | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Поиск по международным и национальным патентным фондам
World Intellectual Property Organization
Поиск
 
Просмотреть
 
Перевод
 
Настройки
 
Новости
 
Войти в систему
 
Помощь
 
Автоматизированный перевод
1. (WO2001001471) A METHOD AND APPARATUS FOR SIDE WALL PASSIVATION FOR ORGANIC ETCH
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро   

№ публикации: WO/2001/001471 № международной заявки: PCT/US2000/016556
Дата публикации: 04.01.2001 Дата международной подачи: 14.06.2000
Требованиe в соответствии с Главой 2 подано: 26.01.2001
МПК:
H01L 21/311 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
Заявители: LAM RESEARCH CORPORATION[US/US]; Building CA-1 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538, US
Изобретатели: NI, Tuqiang; US
TRAN, Nancy; US
Агент: BROCK, Joe, A.; Hickman Stephens Coleman & Hughes, LLP P.O. Box 52037 Palo Alto, Ca 94303, US
KENNEDY, Bill; Oppenheimer Wolff & Donnelly, LLP P.O. Box 52037 Palo Alto, Ca 94303, US
Дата приоритета:
09/340,74328.06.1999US
Название (EN) A METHOD AND APPARATUS FOR SIDE WALL PASSIVATION FOR ORGANIC ETCH
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF SERVANT A PASSIVER DES PAROIS LATERALES POUR EXECUTER UNE GRAVURE DE COUCHE ORGANIQUE
Реферат: front page image
(EN) A robust method for etching an organic low-k insulating layer on a semiconductor device, as disclosed herein, includes introducing into a processing chamber a substrate with an organic insulating layer and an overlying mask layer having an aperture. A plasma is then developed within the chamber from an oxidizing gas and a passivation gas. The passivation gas is preferably either a silicon containing gas or a boron containing gas, or both. The ratio of the oxidizing gas to the passivation gas is preferably at least 10:1. In addition, an inert carrier gas may be provided. The plasma is then used to etch the organic insulating layer through the mask layer, thereby forming a via having essentially vertical sidewalls in the organic low-k insulating layer.
(FR) Procédé élaboré servant à graver une couche isolante organique à constante diélectrique k basse sur un composant à semi-conducteur et consistant à introduire dans une chambre de traitement un substrat pourvu d'une couche isolante organique et d'une couche de masquage sus-jacente comportant une ouverture. On crée ensuite un plasma à l'intérieur de la chambre à partir d'un gaz d'oxydation et d'un gaz de passivation. Celui-ci est, de préférence, soit un gaz contenant silicium, soit un gaz contenant bore, ou les deux. Le rapport entre le gaz d'oxydation et le gaz de passivation est, de préférence, au moins 10 :1. De plus, un gaz porteur inerte peut être présent. On utilise ensuite le plasma afin de graver la couche isolante organique à travers le masque, ce qui permet d'obtenir un trou d'interconnexion possédant des parois latérales verticales dans la couche isolante organique à constante diélectrique k basse.
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)