Поиск по международным и национальным патентным фондам
Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (CN109643690) MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY ELEMENT, MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY, NON-VOLATILE LOGIC CIRCUIT AND MAGNETIC NEURO-ELEMENT

Ведомство : Китай
Номер заявки: 201780052563.7 Дата заявки: 26.12.2017
Номер публикации: 109643690 Дата публикации: 16.04.2019
Вид публикации: A
Справочный номер PCT: Номер заявки:PCTJP2017046623 ; Номер публикации: Нажать здесь, чтобы просмотреть данные
МПК:
H01L 21/8239
H01L 27/105
H01L 29/82
H01L 43/08
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
21
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
70
изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей
77
изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее
78
с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов
82
для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов
822
полупроводниковых подложек с использованием кремниевой технологии
8232
технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах
8234
технология изготовления интегральных схем на MIS транзисторах
8239
структуры памяти
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
27
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
02
содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером
04
с подложкой из полупроводника
10
содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией
105
компоненты с полевым эффектом
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
82
управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
43
Приборы с использованием гальваномагнитных или аналогичных магнитных эффектов; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки этих приборов или их частей
08
резисторы, управляемые магнитным полем
Заявители: TDK CORP
TDK株式会社
Изобретатели: SASAKI TOMOYUKI
佐佐木智生
SHIBATA TATSUO
柴田龙雄
Агенты: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
Дата приоритета: 2017-080413 14.04.2017 JP
Название: (EN) MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY ELEMENT, MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY, NON-VOLATILE LOGIC CIRCUIT AND MAGNETIC NEURO-ELEMENT
(ZH) 磁壁利用型模拟存储元件、磁壁利用型模拟存储器、非易失性逻辑电路及磁神经元件
Реферат: front page image
(EN) The magnetic domain wall utilizing analog memory element according to one mode of the present invention comprises: a magnetized fixed layer (1) wherein the magnetization is oriented in a first direction; a non-magnetic layer (2) provided on one surface of the magnetized fixed layer (1); a magnetic domain wall drive layer (3) provided relative to the magnetized fixed layer (1) such that the non-magnetic layer (2) is held therebetween; a first magnetization supply means (4) supplying to the magnetic domain wall drive layer (3) magnetization oriented in the first direction; and a second magnetization supply means (5) supplying to the magnetic domain wall drive layer (3) magnetization oriented in a second direction opposite the first direction. At least one among the first magnetization supplymeans (4) and the second magnetization supply means (5) is in contact with the magnetic domain wall drive layer (3), and is a spin orbit torque wiring extending in a direction intersecting with the magnetic domain wall drive layer (3).
(ZH) 本发明的一个实施方式的磁壁利用型模拟存储元件具备磁化沿第一方向取向的磁化固定层(1)、设置于磁化固定层(1)的一面的非磁性层(2)、相对于磁化固定层(1)夹着非磁性层(2)设置的磁壁驱动层(3)、向磁壁驱动层(3)供给沿第一方向取向的磁化的第一磁化供给单元(4)及供给沿与第一方向相反的第二方向取向的磁化的第二磁化供给单元(5),第一磁化供给单元(4)及第二磁化供给单元(5)中至少一方是与磁壁驱动层(3)相接且沿相对于磁壁驱动层(3)交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线。
Также опубликовано как:
US20190189516WO/2018/189964