Некоторое содержание этого приложения в настоящий момент недоступно.
Если эта ситуация сохраняется, свяжитесь с нами по адресуОтзывы и контакты
1. (JP2015144312) SEMICONDUCTOR DEVICE

Ведомство : Япония
Номер заявки: 2015077468 Дата заявки: 06.04.2015
Номер публикации: 2015144312 Дата публикации: 06.08.2015
Номер предоставленного патента: 5961302 Дата выдачи патента: 01.07.2016
Вид публикации: B2
МПК:
G02F 1/1368
H01L 29/786
G ФИЗИКА
02
Оптика
F
Приборы или устройства для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, оптические функции которых изменяются при изменении оптических свойств среды в этих приборах или устройствах например для переключения, стробирования, модуляции или демодуляции; оборудование или технологические процессы для этих целей; преобразование частоты; нелинейная оптика; оптические логические элементы; оптические аналого-цифровые преобразователи
1
Устройства или приспособления для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, исходящего от независимого источника, например для переключения, стробирования или модуляции; нелинейная оптика
01
для регулирования интенсивности, фазы, поляризации или цвета
13
основанные на жидких кристаллах, например элементы индикации на жидких монокристаллах
133
конструктивные элементы; обеспечение работы элементов на жидких кристаллах; схемные устройства
136
элементы на жидких кристаллах, конструктивно связанные с полупроводниковым слоем или подложкой, например элементы, образующие часть интегральной схемы
1362
активная матрица с адресными ячейками
1368
в которых переключающий элемент является трехэлектродным прибором
H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
01
Основные элементы электрического оборудования
L
Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
29
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
66
типы полупроводниковых приборов
68
управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
76
униполярные приборы
772
полевые транзисторы
78
с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
786
тонкопленочные транзисторы
Заявители: 株式会社半導体エネルギー研究所
Изобретатели: 本田 達也
Дата приоритета: 2005300825 14.10.2005 JP
Название: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(JA) 半導体装置
Реферат:
(EN) PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a semiconductor device which reduces contact resistance between a semiconductor film and an electrode or wiring, improves the coverage factor between the semiconductor film and the electrode or the wiring, and improves the characteristics.

SOLUTION: A semiconductor device includes: a gate electrode located on a substrate; a gate insulation film located on the gate electrode; a first source electrode or a first drain electrode, located on the gate insulation film; an island-shaped semiconductor film located on the first source electrode or the first drain electrode; and a second source electrode or a second drain electrode, located on the island-shaped semiconductor film and the first source electrode or the first drain electrode. The second source electrode or the second drain electrode is in contact with the first source electrode or the first drain electrode. The first source electrode or the first drain electrode and the second source electrode or the second drain electrode hold the island-shaped semiconductor film therebetween. This invention relates to the semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device.

COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT
(JA)

【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第1のソース電極又はドレイン電極と、前記第1のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第1のソース電極又はドレイン電極上に
第2のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第2のソース電極又はドレイン電極は
前記第1のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第1のソース電極又はドレ
イン電極及び第2のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。
【選択図】図1


Также опубликовано как:
EP1935027JP2007134687US20070087487JP2013016861CN101278403JP2014103418
WO/2007/043493