WIPO logo
Мобильная версия | Deutsch | English | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Поиск по международным и национальным патентным фондам
World Intellectual Property Organization
Поиск
 
Просмотреть
 
Перевод
 
Настройки
 
Новости
 
Войти в систему
 
Помощь
 
Автоматизированный перевод
1. (WO2002003435) HOT PLATE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURE AND TESTING
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро   

TranslationПеревести: оригинал-->русский
№ публикации:    WO/2002/003435    № международной заявки:    PCT/JP2001/005791
Дата публикации: 10.01.2002 Дата международной подачи: 04.07.2001
МПК:
H01L 21/00 (2006.01), H05B 3/14 (2006.01), H05B 3/26 (2006.01), H05B 3/74 (2006.01)
Заявители: IBIDEN CO., LTD. [JP/JP]; 1, Kandacho 2-chome Ogaki-shi, Gifu 503-0917 (JP) (For All Designated States Except US).
HIRAMATSU, Yasuji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ITO, Yasutaka [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Изобретатели: HIRAMATSU, Yasuji; (JP).
ITO, Yasutaka; (JP)
Агент: YASUTOMI, Yasuo; Chuo BLDG. 4-20, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 532-0011 (JP)
Дата приоритета:
2000-202510 04.07.2000 JP
Название (EN) HOT PLATE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURE AND TESTING
(FR) PLAQUE CHAUDE DESTINEE A LA FABRICATION ET AUX ESSAIS DE SEMICONDUCTEURS
Реферат: front page image
(EN)A hot plate for semiconductor manufacture and testing is provided that prevents the stagnation of air between a silicon wafer and a heating plane separated at a predetermined distance so the wafer can be heated uniformly. The hot plate includes a resistance-heating element formed on or within the surface of a ceramic substrate, the heating plane of which has glossiness of greater than 1.5%.
(FR)La présente invention concerne une plaque chaude destinée à la fabrication et aux essais de semiconducteurs. Cette plaque empêche l'air de stagner entre une plaquette de silice et un plan chauffant séparé à une distance prédéterminée de sorte que la plaquette puisse être chauffée uniformément. Cette plaque chaude comprend un élément résistance chauffant formé sur ou dans la surface d'un substrat de céramique, dont le plan chauffant possède un brillant supérieur à 1,5 %.
Указанные государства: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Язык публикации: Japanese (JA)
Язык подачи: Japanese (JA)