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1. (WO2018090001) METHOD OF FORMING GATE SPACER FOR NANOWIRE FET DEVICE
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№ публикации: WO/2018/090001 № международной заявки: PCT/US2017/061539
Дата публикации: 17.05.2018 Дата международной подачи: 14.11.2017
МПК:
H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
Заявители: SMITH, Jeffrey[US/US]; US (US)
DEVILLIERS, Anton[US/US]; US (US)
TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo, 107-6325, JP
Изобретатели: SMITH, Jeffrey; US
DEVILLIERS, Anton; US
Агент: GARLEPP, Edwin, D.; US
MASON, Darek, J.; US
Дата приоритета:
62/421,52814.11.2016US
Название (EN) METHOD OF FORMING GATE SPACER FOR NANOWIRE FET DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'ENTRETOISE DE GRILLE DESTINÉ À UN DISPOSITIF FET À NANOFIL
Реферат: front page image
(EN) A method of forming a gate-all-around semiconductor device, includes providing a substrate having a layered fin structure thereon. The layered fin structure includes a channel portion and a sacrificial portion each extending along a length of the layered fin structure, wherein the layered fin structure being covered with replacement gate material. A dummy gate is formed on the replacement gate material over the layered fin structure, wherein the dummy gate having a critical dimension which extends along the length of the layered fin structure. The method further includes forming a gate structure directly under the dummy gate, the gate structure including a metal gate region and gate spacers provided on opposing sides of the metal gate region, wherein a total critical dimension of the gate structure is equal to the critical dimension of the dummy gate.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif à semi-conducteur à grille tout autour, consistant à fournir un substrat sur lequel a été appliquée une structure d'ailette en couches. La structure d'ailette en couches comprend une partie canal et une partie sacrificielle s'étendant chacune le long d'une longueur de la structure d'ailette en couches, la structure d'ailette en couches étant recouverte d'un matériau de grille de remplacement. Une grille factice est formée sur le matériau de grille de remplacement sur la structure d'ailette en couches, la grille factice ayant une dimension critique qui s'étend le long de la longueur de la structure d'ailette en couches. Le procédé comprend en outre la formation d'une structure de grille directement sous la grille factice, la structure de grille comprenant une région de grille métallique et des entretoises de grille disposées sur des côtés opposés de la région de grille métallique, une dimension critique totale de la structure de grille étant égale à la dimension critique de la grille factice.
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Евразийская патентная организация (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Европейское патентное ведомство (ЕПВ) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Язык публикации: Английский (EN)
Язык подачи: Английский (EN)