WIPO logo
Мобильная версия | Deutsch | English | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Поиск по международным и национальным патентным фондам
World Intellectual Property Organization
Поиск
 
Просмотреть
 
Перевод
 
Настройки
 
Новости
 
Войти в систему
 
Помощь
 
Автоматизированный перевод
1. (WO2009139524) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро   

TranslationПеревести: оригинал-->русский
№ публикации:    WO/2009/139524    № международной заявки:    PCT/KR2008/005532
Дата публикации: 19.11.2009 Дата международной подачи: 19.09.2008
МПК:
H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Заявители: EPIVALLEY CO., LTD. [KR/KR]; #321 Gongdan-Dong Gumi-city, Gyungbuk 730-030 (KR) (For All Designated States Except US).
OH, Ji Won [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Изобретатели: OH, Ji Won; (KR)
Агент: AN, Sang Jeong; 7F, Tower A Advanced Institute of Convergence Technology Iui Suwon, Kyunggi-do 443-270 (KR)
Дата приоритета:
10-2008-0045185 15.05.2008 KR
Название (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
Реферат: front page image
(EN)The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device, the semiconductor light emitting device comprising: a plurality of openings positioned between first electrode and second electrode, the plurality of openings defining a first opening region for suppressing current flow between the first electrode and the second electrode and a second opening region for relatively less suppressing current flow than the first opening region.
(FR)La présente invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteur, le dispositif électroluminescent à semi-conducteur comprenant : une pluralité d’ouvertures positionnées entre une première électrode et une seconde électrode, la pluralité d’ouvertures définissant une première région d’ouverture pour supprimer la circulation de courant entre la première électrode et la seconde électrode et une seconde région d’ouverture pour supprimer relativement moins la circulation de courant par rapport à la première région d’ouverture.
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Язык публикации: English (EN)
Язык подачи: Korean (KO)