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1. (WO2011141509) PIN-COMPATIBLE INFRARED LIGHT DETECTOR HAVING IMPROVED THERMAL STABILITY
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро   

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№ публикации:    WO/2011/141509    № международной заявки:    PCT/EP2011/057611
Дата публикации: 17.11.2011 Дата международной подачи: 11.05.2011
МПК:
G01J 5/34 (2006.01)
Заявители: PYREOS LTD. [GB/GB]; Kings Buildings West Mains Road Edinburgh EH9 3JF (GB) (For All Designated States Except US).
CHAMBERLAIN, Timothy John [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Изобретатели: CHAMBERLAIN, Timothy John; (GB)
Агент: FISCHER, Ernst; Altheimer Eck 13 80331 München (DE)
Дата приоритета:
10 2010 020 348.3 12.05.2010 DE
Название (DE) PIN-KOMPATIBLER INFRAROTLICHTDETEKTOR MIT VERBESSERTER THERMISCHER STABILITÄT
(EN) PIN-COMPATIBLE INFRARED LIGHT DETECTOR HAVING IMPROVED THERMAL STABILITY
(FR) DÉTECTEUR DE LUMIÈRE INFRAROUGE À COMPATIBILITÉ DE BROCHAGE, ET À STABILITÉ THERMIQUE AMÉLIORÉE
Реферат: front page image
(DE)Ein Infrarotlichtdetektor weist mindestens einen Sensorchip (3, 4), der ein aus einem pyroelektrisch sensitiven Material hergestelltes Schichtelement (5, 8) sowie eine Basiselektrode (6, 9) und eine Kopfelektrode (7, 10) aufweist, an die das Schichtelement (5, 8) zum Abgreifen von in dem Schichtelement (5, 8) durch deren Bestrahlung mit Licht (2) erzeugten elektrischen Signalen angeschlossen ist, und einen Transimpedanzverstärker (11, 12) zum Verstärken der Signale mit einem Operationsverstärker (19, 25) auf, der mit einer Versorgungsspannungsquelle (13) mit einer positiven Versorgungsspannung asymmetrisch betrieben sind und an dessen invertierenden Eingang (21, 27) die Basiselektrode (6, 9) angeschlossen ist, wobei an der Versorgungsspannungsquelle (13) ein auf Masse (14) gelegter Spannungsteiler (15) mit einem Teilknoten (18) versehen ist, an dem eine Teilspannung anliegt, die kleiner als die Versorgungsspannung ist, und der mit dem nichtinvertierenden Eingang (20, 26) sowie der Kopfelektrode (7, 10) elektrisch gekoppelt ist.
(EN)The invention relates to an infrared light detector, comprising at least one sensor chip (3, 4), which has a layer element (5, 8) that is produced from a pyroelectrically sensitive material and further has a base electrode (6, 9) and a head electrode (7, 10), to which the layer element (5, 8) is connected for tapping electric signals generated in the layer element (5, 8) by irradiation of the at least one sensor chip with light (2), and further comprising a transimpedance amplifier (11, 12) for amplifying the signals with an operational amplifier (19, 25), which is asymmetrically operated by a supply voltage source (13) having a positive supply voltage and to the inverting input (21, 27) of which the base electrode (6, 9) is connected. At the voltage supply source (13), a voltage divider (15) that is connected to ground (14) is provided with a partial node (18), to which a partial voltage that is smaller than the supply voltage is applied and which is electrically coupled to the non-inverting input (20, 26) and the head electrode (7, 10).
(FR)L'invention concerne un détecteur de lumière infrarouge comprenant au moins une puce capteur (3, 4) qui comporte un élément en couche (5, 8) constitué d'un matériau pyroélectriquement sensible, ainsi qu'une électrode de base (6, 9) et une électrode de tête (7, 10), auxquelles l'élément en couche (5, 8) est connecté pour l'extraction de signaux électriques engendrés dans l'élément en couche (5, 8) par son exposition à la lumière (2). Ledit détecteur de lumière infrarouge comporte également un amplificateur à transimpédance (11, 12) pour l'amplification des signaux au moyen d'un amplificateur opérationnel (19, 25), lequel fonctionne asymétriquement avec une source de tension d'alimentation (13) fournissant une tension d'alimentation positive et à l'entrée inverseuse (21, 27) duquel l'électrode de base (6, 9) est connectée. Sur la source de tension d'alimentation (13), un diviseur de tension (15) mis à la masse (14) est doté d'un nœud partiel (18), qui se trouve sous une tension partielle, inférieure à la tension d'alimentation, et qui est couplé électriquement à l'entrée non inverseuse (20, 26) et à l'électrode de tête (7, 10).
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Язык публикации: German (DE)
Язык подачи: German (DE)