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1. (WO2002025642) GIANT MAGNETORESISTIVE SENSOR HAVING SELF-CONSISTENT DEMAGNETIZATION FIELDS
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро   

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№ публикации:    WO/2002/025642    № международной заявки:    PCT/US2001/013417
Дата публикации: 28.03.2002 Дата международной подачи: 26.04.2001
Требованиe в соответствии с Главой 2 подано:    10.04.2002    
МПК:
G01R 33/09 (2006.01), G11B 5/02 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01)
Заявители: SEAGATE TECHNOLOGY LLC [US/US]; 920 Disc Drive, Scotts Valley, CA 95066 (US) (For All Designated States Except US).
CHEN, Lujun [CN/US]; (US) (For US Only).
GIUSTI, James, H. [US/US]; (US) (For US Only).
FERNANDEZ-DE-CASTRO, Juan, J. [US/US]; (US) (For US Only)
Изобретатели: CHEN, Lujun; (US).
GIUSTI, James, H.; (US).
FERNANDEZ-DE-CASTRO, Juan, J.; (US)
Агент: KAUL, Brain, D.; Westman, Champlin & Kelly, P.A., Suite 1600 - International Centre, 900 Second Avenue South, Minneapolis, MN 55402-3319 (US).
DIETZ, Paul, T.; Seagate Technology LLC, Intellectual Property Department - NRW097, 7801 Computer Avenue South, Bloomington, MN 55435 (US)
Дата приоритета:
60/233,815 19.09.2000 US
Название (EN) GIANT MAGNETORESISTIVE SENSOR HAVING SELF-CONSISTENT DEMAGNETIZATION FIELDS
(FR) DETECTEUR A MAGNETORESISTANCE GEANTE COMPRENANT DES CHAMPS DE DEMAGNETISATION COHERENTS
Реферат: front page image
(EN)The present invention is directed to a spin valve sensor (140) for use in a data storage system (100), that is adapted to receive a sense current (I) and produce a GMR effect in response to applied magnetic fields. The spin valve sensor (140) includes first and second ferromagnetic free layers, a spacer layer positioned between the first and second ferromagnetic free layers 8150 and 152), and a biasing component. The first ferromagnetic free layer (150) has a magnetization (M1) in a first direction, when in a quiescent (non-biased) state. The second ferromagnetic free lyer (152) has a magnetization (M2) in a second direction that is anti-parallel to the first direction, when in a quiescent (non biased) state.
(FR)L'invention concerne un détecteur de vanne de spin (140) destiné à être utilisé dans un système de stockage de données (100) afin de recevoir un courant de détection (I) et de produire un effet GMR en réponse aux champs magnétiques appliqués. Le détecteur de vanne de spin (140) comprend une première et une seconde couche libre ferromagnétique, une couche d'espacement disposée entre la première et la seconde couche libre ferromagnétique (150 et 152) et un composant de polarisation. La première couche libre ferromagnétique (150) présente une magnétisation (M1) dans une première direction, lorsqu'elle se trouve dans un état de repos (non polarisé). La seconde couche libre ferromagnétique (152) présente une magnétisation (M2) dans une seconde direction qui est antiparallèle à la première direction, lorsqu'elle se trouve dans un état de repos (non polarisé).
Указанные государства: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Язык публикации: English (EN)
Язык подачи: English (EN)