WIPO logo
Мобильная версия | Deutsch | English | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Поиск по международным и национальным патентным фондам
World Intellectual Property Organization
Поиск
 
Просмотреть
 
Перевод
 
Настройки
 
Новости
 
Войти в систему
 
Помощь
 
Автоматизированный перевод
1. (WO2003061119) SURFACE ACOUSTIC WAVE ELEMENT AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
Новейшие библиограф. данные, касающиеся досье в Международном бюро   

TranslationПеревести: оригинал-->русский
№ публикации:    WO/2003/061119    № международной заявки:    PCT/JP2003/000362
Дата публикации: 24.07.2003 Дата международной подачи: 17.01.2003
Требованиe в соответствии с Главой 2 подано:    06.05.2003    
МПК:
H03H 3/08 (2006.01)
Заявители: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 108-8001 (JP) (For All Designated States Except US).
HATTORI, Wataru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Изобретатели: HATTORI, Wataru; (JP)
Агент: IKEDA, Noriyasu; The 3rd Mori Building, 4-10, Nishishinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0003 (JP)
Дата приоритета:
2002-8501 17.01.2002 JP
Название (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE ELEMENT AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ELEMENT D'ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Реферат: front page image
(EN)A template (3) manufactured to have high−accuracy protrusions and recesses in advance by a lithography technology employing an electron beam is pressed against a resist film (2) applied onto a substrate (1) thus transferring a resist pattern (5). A thin metal film (6) for electrode is then formed on the resist pattern (5) formed by transfer and then it is stripped off by a lift−off method along with the resist film (2).
(FR)L'invention concerne un gabarit (3) présentant des protubérances et des évidements très précis que l'on obtient par la technologie de lithographie utilisant un faisceau électronique. Ledit gabarit est plaqué contre un film de protection (2) appliqué sur un substrat (1) transférant ainsi un motif de protection (5). Un film métallique mince (6) pour électrode est ensuite formé sur le motif de protection (5) obtenu par transfert, puis décapé par un procédé de retrait et grâce au film de protection (2).
Указанные государства: CN, US.
Язык публикации: Japanese (JA)
Язык подачи: Japanese (JA)