O PATENTSCOPE estará indisponível durante algumas horas por motivos de manutenção em Segunda-feira 03.02.2020 às 10:00 AM CET
Pesquisa nas coleções internacionais e nacionais de patentes
Alguns conteúdos deste aplicativo estão indisponíveis de momento.
Caso esta situação persista, estamos ao seu dispor através deFale conosco & Contato
1. (US20170310081) Semiconductor Laser Diode

Organismo : Estados Unidos da América
Número do pedido: 15649437 Data do pedido: 13.07.2017
Número de publicação: 20170310081 Data de publicação: 26.10.2017
Tipo de publicação : A1
CIP:
H01S 5/024
H01S 5/10
H01S 5/20
H01S 5/042
H01S 5/022
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
02
Detalhes ou componentes estruturais não essenciais para a ação do laser
024
Disposições de resfriamento
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
10
Construção ou formato do ressonador óptico
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
20
Estrutura ou formato do corpo do semicondutor para guiar a onda óptica
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
04
Processos ou aparelhos para excitação, p. ex., bombeamento
042
Excitação elétrica
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
02
Detalhes ou componentes estruturais não essenciais para a ação do laser
022
Montagens; Invólucros
CPC:
H01S 5/02469
H01S 5/10
H01S 5/024
H01S 5/1064
H01S 5/0224
H01S 5/0425
H01S 5/02461
H01S 5/2036
H01S 5/2054
Requerentes: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Inventores: Christian Lauer
Harald König
Uwe Strauss
Alexander Bachmann
Dados da prioridade: 102011055891.8 30.11.2011 DE
Título: (EN) Semiconductor Laser Diode
Resumo:
(EN)

A semiconductor laser diode is provided. In an embodiment the semiconductor laser diode includes a semiconductor layer sequence having semiconductor layers disposed vertically one above the other. An active layer includes an active region having a width of greater than or equal to 30 μm emitting laser radiation during operation via a radiation coupling-out surface. The radiation coupling-out surface is formed by a lateral surface of the semiconductor layer sequence and forms, with an opposite rear surface, a resonator having lateral gain-guiding in a longitudinal direction. The semiconductor layer sequence is heated in a thermal region of influence by reason of the operation. A metallization layer is in direct contact with a top side of the semiconductor layer sequence.


Also published as:
CN103975490US20140334508JP2015502051JP2016129244WO/2013/079346