Pesquisa nas coleções internacionais e nacionais de patentes
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1. (US20140334508) Semiconductor laser diode

Organismo : Estados Unidos da América
Número do pedido: 14361647 Data do pedido: 19.11.2012
Número de publicação: 20140334508 Data de publicação: 13.11.2014
Número da concessão: 09722394 Data da concessão: 01.08.2017
Tipo de publicação : B2
Referência PCT: Número do pedido:PCTEP2012073004 ; Número de publicação: Clique para ver os dados
CIP:
H01S 5/024
H01S 5/10
H01S 5/022
H01S 5/042
H01S 5/20
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
02
Detalhes ou componentes estruturais não essenciais para a ação do laser
024
Disposições de resfriamento
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
10
Construção ou formato do ressonador óptico
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
02
Detalhes ou componentes estruturais não essenciais para a ação do laser
022
Montagens; Invólucros
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
04
Processos ou aparelhos para excitação, p. ex., bombeamento
042
Excitação elétrica
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
20
Estrutura ou formato do corpo do semicondutor para guiar a onda óptica
Requerentes: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Inventores: Christian Lauer
Harald König
Uwe Strauβ
Alexander Bachmann
Mandatários: Slater Matsil, LLP
Dados da prioridade: 10 2011 055 891 30.11.2011 DE
Título: (EN) Semiconductor laser diode
Resumo: front page image
(EN)

A semiconductor laser diode is provided. A semiconductor layer sequence has semiconductor layers applied vertically one above the other. An active layer includes an active region having a width of greater than or equal to 30 μm emitting laser radiation during operation via a radiation coupling-out surface. The radiation coupling-out surface is formed by a lateral surface of the semiconductor layer sequence and forms, with an opposite rear surface, a resonator having lateral gain-guiding in a longitudinal direction. The semiconductor layer sequence is heated in a thermal region of influence by reason of the operation. A metallization layer is in direct contact with a top side of the semiconductor layer sequence.


Também publicado como:
CN103975490JP2015502051JP2016129244US20170310081WO/2013/079346