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1. (US20110318857) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Organismo : Estados Unidos da América
Número do pedido: 13219118 Data do pedido: 26.08.2011
Número de publicação: 20110318857 Data de publicação: 29.12.2011
Número da concessão: 09343622 Data da concessão: 17.05.2016
Tipo de publicação : B2
CIP:
H01L 33/12
H01L 33/00
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
02
caracterizado pelo corpo do semicondutor
12
com uma estrutura de relaxamento de tensão, p. ex., camada amortecedora
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
Requerentes: Suk Hun Lee
LG INNOTEK CO., LTD.
Inventores: Suk Hun Lee
Mandatários: Saliwanchik, Lloyd & Eisenschenk
Dados da prioridade: 10-2004-0111085 23.12.2004 KR
Título: (EN) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
Resumo: front page image
(EN)

Provided is a nitride semiconductor light emitting device including: a substrate; a first buffer layer formed above the substrate; an indium-containing second buffer layer formed above the first buffer layer; an indium-containing third buffer layer formed above the second buffer layer; a first nitride semiconductor layer formed above the third buffer layer; an active layer formed above the first nitride semiconductor layer; and a second nitride semiconductor layer formed above the active layer. According to the present invention, the crystal defects are further suppressed, so that the crystallinity of the active layer is enhanced, and the optical power and the operation reliability are enhanced.


Também publicado como:
EP1829122JP2008526012US20080142781CN101073161IN772/MUMNP/2007WO/2006/068374