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1. (US20060197129) Buried and bulk channel finFET and method of making the same

Organismo : Estados Unidos da América
Número do pedido: 11073330 Data do pedido: 03.03.2005
Número de publicação: 20060197129 Data de publicação: 07.09.2006
Tipo de publicação : A1
CIP:
H01L 29/66
H01L 29/94
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
86
não controláveis; controláveis unicamente pela variação da corrente elétrica fornecida ou do potencial elétrico aplicado a um ou mais dos eletrodos condutores da corrente a ser retificada, oscilada ou comutada
92
Capacitores com barreira de potencial ou barreira de superfície
94
Semicondutores de metal isolante, p. ex., "MIS"
Requerentes: TriQuint Semiconductor, Inc.
Inventores: Wohlmuth Walter A.
Mandatários: Mr. Joseph Pugh;TriQuint Semiconductor
Dados da prioridade:
Título: (EN) Buried and bulk channel finFET and method of making the same
Resumo: front page image
(EN)

One embodiment of a fin-field effect transistor includes a material stack including a non-inverting su surface channel, a fin of semiconductor material positioned on the material stack, the fin including first and second opposing side surfaces, and a gate electrode positioned on the first and second opposing side surfaces of the fin.