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1. JP2005093799 - METHOD OF FORMING THIN FILM PATTERN, ELECTROOPTIC DEVICE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT

Organismo Japão
Número do pedido 2003326307
Data do pedido 18.09.2003
Número da publicação 2005093799
Data de publicação 07.04.2005
Tipo de publicação A
CIP
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
28
Fabricação de eletrodos em corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/268155
283
Depósitos de materiais condutores ou isolantes para eletrodos
288
a partir de um líquido, p. ex., depósito eletrolítico
G FÍSICA
02
ÓPTICA
B
ELEMENTOS, SISTEMAS OU APARELHOS ÓPTICOS
5
Elementos ópticos outros que não lentes
20
Filtros
G FÍSICA
02
ÓPTICA
F
DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES, NOS QUAIS O FUNCIONAMENTO ÓPTICO É MODIFICADO PELA VARIAÇÃO DAS PROPRIEDADES ÓPTICAS DO MEIO QUE CONSTITUI ESTES DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES PARA O CONTROLE DA INTENSIDADE, DA COR, DA FASE, DA POLARIZAÇÃO OU DA DIREÇÃO DA LUZ, p. ex.,COMUTAÇÃO, ABERTURA DE PORTA, MODULAÇÃO OU DEMODULAÇÃO; TÉCNICAS OU PROCEDIMENTOS NECESSÁRIOS PARA O FUNCIONAMENTO DESTES; MUDANÇA DE FREQUÊNCIA; ÓPTICA NÃO LINEAR; ELEMENTOS ÓPTICOS LÓGICOS; CONVERSORES ÓPTICOS ANALÓGICOS/DIGITAIS
1
Dispositivos ou disposições para o controle da intensidade da cor, da fase, da polarização ou da direção da luz proveniente de uma fonte de luz independente, p. ex.,comutação, abertura de porta ou modulação; Óptica não linear
01
para controle da intensidade, da fase, da polarização ou da cor
13
baseado em cristais líquidos, p. ex., células individuais de apresentação a cristais líquidos
133
Disposições construtivas; Funcionamento de células de cristal líquido; Disposições de circuitos
1333
Disposições construtivas
1343
Eletrodos
G FÍSICA
09
EDUCAÇÂO; CRIPTOGRAFIA; APRESENTAÇÃO VISUAL; ANÚNCIOS; LOGOTIPOS
F
APRESENTAÇÃO VISUAL; PUBLICIDADE; SINAIS; ETIQUETAS OU CHAPAS DISTINTIVAS; SELOS
9
Disposições para indicar informações variáveis, nas quais as informações são formadas sobre um suporte, por seleção ou combinação de elementos individuais
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
B
CABOS; CONDUTORES; ISOLADORES; USO DE MATERIAIS ESPECÍFICOS DEVIDO AS SUAS PROPRIEDADES CONDUTORAS, ISOLANTES OU DIELÉTRICAS
13
Aparelhos ou processos especialmente adaptados à fabricação de condutores ou cabos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
31
para formar camadas isolantes nos mesmos, p. ex., para mascarar ou usando técnicas fotolitográficas; Pós-tratamento dessas camadas; Seleção de materiais para estas camadas
3205
Deposição de camadas não-isolantes, p. ex., condutoras ou resistivas sobre camadas isolantes; Pós-tratamento dessas camadas
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
B
AQUECIMENTO ELÉTRICO; ILUMINAÇÃO ELÉTRICA NÃO INCLUÍDA EM OUTRO LOCAL
33
Fontes de luz eletroluminescente
10
Aparelhos ou processos especialmente adaptados à fabricação de fontes de luz eletroluminescente
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
B
AQUECIMENTO ELÉTRICO; ILUMINAÇÃO ELÉTRICA NÃO INCLUÍDA EM OUTRO LOCAL
33
Fontes de luz eletroluminescente
12
Fontes de luz com superfícies de radiação essencialmente bidimensionais
14
caracterizadas pela composição química ou física ou pela disposição do material eletroluminescente
H01L 21/288
G02B 5/20
G02F 1/1343
G09F 9/00
H01B 13/00
H01L 21/3205
Requerentes SEIKO EPSON CORP
セイコーエプソン株式会社
Inventores MIKOSHIBA TOSHIAKI
御子柴 俊明
Mandatários 上柳 雅誉
藤綱 英吉
須澤 修
Título
(EN) METHOD OF FORMING THIN FILM PATTERN, ELECTROOPTIC DEVICE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
(JA) 薄膜パターンの形成方法、電気光学装置及び電子機器
Resumo
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming thin film pattern by which a higher-quality thin film pattern can be formed by accurately forming alignment marks, and to provide an electrooptic device and electronic equipment equipped with the high-quality thin film pattern.

SOLUTION: The method of forming the thin film pattern includes a step of liquid repelling step of imparting a liquid repelling property to a substrate by using a metallic mask formed with openings for thin film pattern, having an opening pattern of the same form and size of those of the arranging pattern of a functional fluid on the substrate and openings for alignment marks for forming alignment marks; a lyophilic pattern forming step of forming lyophilic sections for thin film pattern and alignment marks after the metallic mask is arranged on the substrate subjected to the liquid repelling step; and an alignment mark forming step of forming the alignment marks. The method also includes a functional fluid arranging step of forming the thin film pattern by arranging the functional fluid in the lyophilic sections by a droplet discharging method on the basis of the alignment marks.

COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

(JA)

【課題】 アライメントマークを精度よく形成することによって、より高品質な薄膜パターンを形成することができる薄膜パターンの形成方法を提供する。また、高品質な薄膜パターンを備えた電気光学装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板上の機能液が配置されるパターンと同じ形状、大きさの開口パターンを有する薄膜パターン用開口部と、アライメントマークを形成するアライメントマーク用開口部とが具備された金属製マスクを用いて、前記基板に撥液性を付与する撥液化処理工程と、撥液化処理された前記基板上に前記金属製マスクを配した後、薄膜パターン及びアライメントマーク用の親液部を形成する親液パターン形成工程と、アライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、前記アライメントマークに基づき、液滴吐出法により前記親液部に機能液を配置して薄膜パターンを形成する機能液配置工程と、を具備する。
【選択図】 図3