Pesquisa nas coleções internacionais e nacionais de patentes
Alguns conteúdos deste aplicativo estão indisponíveis de momento.
Caso esta situação persista, estamos ao seu dispor através deFale conosco & Contato
1. (GB2411522) GaN based group III-V nitride semi-conductor light emitting diode

Organismo : Reino Unido
Número do pedido: 0510128 Data do pedido: 17.12.2001
Número de publicação: 2411522 Data de publicação: 22.06.2005
Tipo de publicação : B
CIP:
H01L 33/00
H01L 33/10
H01L 33/32
H01L 33/38
H01L 33/42
H01S 5/02
H01S 5/024
H01S 5/042
H01S 5/323
H01S 5/343
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
02
caracterizado pelo corpo do semicondutor
10
com uma estrutura refletora de luz, p. ex., refletor semicondutor Bragg
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
02
caracterizado pelo corpo do semicondutor
26
Materiais da região de emissão de luz
30
ontendo somente elementos dos grupos III e V do Sistema periódico
32
contendo nitrogênio
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
36
caracterizado pelos eletrodos
38
com uma forma particular
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
36
caracterizado pelos eletrodos
40
Materiais dos mesmos
42
Materiais transparentes
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
02
Detalhes ou componentes estruturais não essenciais para a ação do laser
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
02
Detalhes ou componentes estruturais não essenciais para a ação do laser
024
Disposições de resfriamento
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
04
Processos ou aparelhos para excitação, p. ex., bombeamento
042
Excitação elétrica
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
30
Estrutura ou forma da região ativa; Materiais utilizados para a região ativa
32
contendo junções PN, p. ex., estruturas hetero ou heteroduplas
323
em compostos AIIIBV, p. ex., laser AlGaAs
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
30
Estrutura ou forma da região ativa; Materiais utilizados para a região ativa
34
contendo poço quantum ou estruturas de supermalha, p. ex., lasers de poço quantum simples (lasers SQW), lasers de poço quantum múltiplos (lasers MQW), lasers heteroestruturais de confinamento separado de índice graduado (lasers GRINSCH)
343
em compostos AIIIBV, p. ex., laser AlGaAs
CPC:
B82Y 20/00
H01L 33/0079
H01L 33/38
H01L 33/382
H01L 33/46
H01L 33/641
H01L 2933/0016
H01S 5/0207
H01S 5/021
H01S 5/0217
H01S 5/024
H01S 5/02461
H01S 5/02476
H01S 5/0424
H01S 5/0425
H01S 5/34333
Y10S 438/928
H01L 33/04
Requerentes: SAMSUNG ELECTRO MECH
Inventores: KWAK JOON-SEOP
LEE KYO-YEOL
CHO JAE-HEE
CHAE SU-HEE
Dados da prioridade: 0130203 17.12.2001 GB
20000077746 18.12.2000 KR
20010004035 29.01.2001 KR
Título: (EN) GaN based group III-V nitride semi-conductor light emitting diode
Resumo:
(EN) A light emitting device (e.g. a GaN based III-V nitride device) having a heat dissipating element is provided. The device includes an active layer 160b between first and second material layers for inducing laser emission, a first electrode 154 contacting the lowermost layer 152 of the first material layers, a second electrode contacting the uppermost layer 164 of the second material layers, and a heat dissipating element in contact with the lowermost layer 152. The heat dissipating element is a thermal conductive layer 156 which contacts a region of the lowermost layer 152, while a substrate 150 is present on the remaining region of the lowermost layer 152. The thermal conductive layer may contact the lowermost layer 152 through one or more via holes formed in the substrate. A dent extending into the lowermost layer 152 may also be formed along with the via hole (figure 10).