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1. (EP0561386) Semiconductor device.

Organismo : Instituto Europeu de Patentes (IEP)
Número do pedido: 93104360 Data do pedido: 17.03.1993
Número de publicação: 0561386 Data de publicação: 22.09.1993
Tipo de publicação : A1
Estados designados: DE,FR,GB
CIP:
H 03K
H03K 17/0812
H03K 17/082
H03K 17/16
H ELECTRICIDADE
03
CIRCUITOS ELETRÔNICOS BÁSICOS
K
TÉCNICAS DIGITAIS
17
Comutação ou abertura de porta eletrônica, i.e., por outros meios que não o estabelecimento e a ruptura de contato
08
Modificações para proteger o circuito de comutação contra sobrecarga
H ELECTRICIDADE
03
CIRCUITOS ELETRÔNICOS BÁSICOS
K
TÉCNICAS DIGITAIS
17
Comutação ou abertura de porta eletrônica, i.e., por outros meios que não o estabelecimento e a ruptura de contato
08
Modificações para proteger o circuito de comutação contra sobrecarga
081
sem realimentação do circuito de saída para o circuito de controle
0812
por medidas tomadas no circuito de controle
H ELECTRICIDADE
03
CIRCUITOS ELETRÔNICOS BÁSICOS
K
TÉCNICAS DIGITAIS
17
Comutação ou abertura de porta eletrônica, i.e., por outros meios que não o estabelecimento e a ruptura de contato
08
Modificações para proteger o circuito de comutação contra sobrecarga
082
por realimentação da saída para o circuito de controle
H ELECTRICIDADE
03
CIRCUITOS ELETRÔNICOS BÁSICOS
K
TÉCNICAS DIGITAIS
17
Comutação ou abertura de porta eletrônica, i.e., por outros meios que não o estabelecimento e a ruptura de contato
16
Modificações para eliminar tensões ou correntes de interferência
CPC:
H03K 17/0828
H03K 17/08128
H03K 17/0822
H03K 17/168
H03K 17/18
Requerentes: FUJI ELECTRIC CO LTD
Inventores: OGAWA SHOGO
MIYASAKA TADASHI
KOBAYASHI SHINICHI
KUWABARA KESANOBU
Dados da prioridade: 12521492 19.05.1992 JP
6225492 18.03.1992 JP
6596092 24.03.1992 JP
Título: (DE) Halbleiteranordnung.
(EN) Semiconductor device.
(FR) Dispositif semi-conducteur.
Resumo: front page image
(EN) A semiconductor device includes an insulated gate semiconductor portion (2) having a gate electrode (2g); an overcurrent limiting portion (12,13) for judging an overcurrent state of the insulated gate semiconductor portion (2) to make it possible to change a gate voltage applied to the gate electrode (2g); and a driving portion (30) for driving the insulated gate semiconductor portion (2). The driving portion (30) includes a driving section (20) for supplying a control voltage to the insulated gate semiconductor device (2) correspondingly to an input signal (I) supplied to the driving portion; and a comparing section (40) for comparing the gate voltage (VG) with a predetermined reference voltage (Vo). The semiconductor device may further include a gate control relaxation section (141) for relaxing a rate of change of the gate voltage (VG) applied to the gate electrode.