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1. (DE102009035547) Voltage actuator for use in X-ray system for adjusting cathode voltage of e.g. X-ray tube, has transistor whose gate-or base terminal is connected with control line via series connection of diode, Zener diode and resistor

Organismo : Alemanha
Número do pedido: 102009035547 Data do pedido: 31.07.2009
Número de publicação: 102009035547 Data de publicação: 03.02.2011
Tipo de publicação : A1
CIP:
H05G 1/08
H01J 35/06
A61B 6/00
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
G
TÉCNICA DE RAIOS-X
1
Aparelho de raios-X usando tubos de raios-X; Circuitos para o mesmo
08
Detalhes elétricos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
J
VÁLVULAS DE DESCARGA ELÉTRICA OU LÂMPADAS DE DESCARGA
35
Válvulas de raios-X
02
Detalhes
04
Eletrodos
06
Catodos
A NECESSIDADES HUMANAS
61
CIÊNCIA MÉDICA OU VETERINÁRIA; HIGIENE
B
DIAGNÓSTICO; CIRURGIA; IDENTIFICAÇÃO
6
Aparelhos para diagnóstico por radiação, p. ex., combinados com equipamento de terapia por radiação
CPC:
H05G 1/32
Requerentes: SIEMENS AG
Inventores: BEYERLEIN WALTER
Dados da prioridade:
Título: (DE) Spannungsstellglied
(EN) Voltage actuator for use in X-ray system for adjusting cathode voltage of e.g. X-ray tube, has transistor whose gate-or base terminal is connected with control line via series connection of diode, Zener diode and resistor
Resumo: front page image
(DE)

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Spannungsstellglied, das speziell für die Einstellung einer Hochspannung und insbesondere für die Einstellung der Kathodenspannung von Röntgenröhren geeignet ist.
Ein erfindungsgemäßes Spannungsstellglied (100) weist mindestens zwei in Reihe geschaltete Transistoren (110, 120) auf, wobei der Source- oder Emitteranschluss eines ersten Transistors (110) über einen ersten Widerstand (112) mit einem Potentialbezugspunkt (104) verbunden ist und der Gate- oder Basisanschluss des ersten Transistors (110) über einen zweiten Widerstand (114) mit einer Steuerleitung (102) des Spannungsstellglieds (100) verbunden ist. Der Source- oder Emitteranschluss eines zweiten Transistors (120) ist einerseits mit dem Drain- oder Kollektoranschluss des ersten Transistors (110) und andererseits über einen dritten Widerstand (122) mit dem eigenen Gate- oder Basisanschluss verbunden. Der Gate- oder Basisanschluss des zweiten Transistors (120) ist über eine Reihenschaltung aus einer Diode (128), einer Zenerdiode (126) und einem vierten Widerstand (124) mit der Steuerleitung (102) verbunden.


(EN)

The actuator (100) has a transistor (110) whose source-or emitter terminal and gate-or base terminal are connected with two potential reference points (104) via first and second resistors (112, 114), respectively. A source-or emitter terminal of another transistor (120) is connected with a drain-or collector terminal and the gate-or base terminal of the former transistor via a third resistor (122). The gate-or base terminal of the latter transistor is connected with a control line (102) via a series connection of a diode (128), a Zener diode (126) and a fourth resistor (124). The transistors are selected from a group consisting of junction gate FET, an insulated gate bipolar transistor and a MOSFET.