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1. (CN104094408) High current high voltage GaN field effect transistors and method of fabricating same

Organismo : China
Número do pedido: 201280059254.X Data do pedido: 15.05.2012
Número de publicação: 104094408 Data de publicação: 08.10.2014
Tipo de publicação : A
Referência PCT: Número do pedido:PCTUS2012038013 ; Número de publicação: Clique para ver os dados
CIP:
H01L 29/778
H01L 21/335
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
68
controláveis unicamente pela corrente elétrica fornecida ou pelo potencial elétrico aplicado a um eletrodo que não conduz a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efeito de campo
778
canal bidimensional de portadores de carga) por ex., HEMT (FET com heteroestrutura)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
334
Processos de várias etapas para a fabricação de dispositivos do tipo unipolar
335
Transistores de efeito de campo
Requerentes:
Inventores:
Dados da prioridade: 13/312,406 06.12.2011 US
Título: (EN) High current high voltage GaN field effect transistors and method of fabricating same
(ZH) 高电流高电压GaN场效应晶体管及其制造方法
Resumo: front page image
(EN) A field effect transistor (FET) having a source contact to a channel layer, a drain contact to the channel layer, and a gate contact on a barrier layer over the channel layer. The (FET) includes a dielectric layer on the barrier layer between the source contact and the drain contact and over the gate contact, and a field plate on the dielectric layer. The field plate is connected to the source contact and extends over a space between the gate contact and the drain contact. The field plate comprises a sloped sidewall in the space between the gate contact and the drain contact.
(ZH)

一种场效应晶体管(FET)具有与沟道层接触的源极接点、与沟道层接触的漏极接点、以及在沟道层之上的势垒层上的栅极接点,该FET包括:在源极接点和漏极接点之间的势垒层上并且覆盖栅极接点的电介质层;以及在电介质层上的场板,该场板连接至源极接点并且延伸超过栅极接点和漏极接点之间区域,并且该场板包含位于栅极接点和漏极接点之间区域的倾斜侧壁。


Também publicado como:
EP2789013WO/2013/085566