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1. (WO2019068094) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATION TECHNIQUES
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№ de pub.: WO/2019/068094 № do pedido internacional: PCT/US2018/053780
Data de publicação: 04.04.2019 Data de depósito internacional: 01.10.2018
CIP:
H01L 45/00 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
45
Dispositivos de estado sólido adaptados à retificação, amplificação, oscilação ou comutação sem uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., triodos dielétricos; Dispositivos de efeito Ovshinsky; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento dos mesmos ou de suas partes
Requerentes:
CROSSBAR, INC. [US/US]; 3200 Patrick Henry Drive, Suite 110 Santa Clara, California 95054, US
Inventores:
JO, Sung-Hyun; US
NARAYANAN, Sundar; US
GU, Zhen; US
Mandatário:
CHO, Steve Y.; US
Dados da prioridade:
62/566,15429.09.2017US
Título (EN) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATION TECHNIQUES
(FR) MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE ET TECHNIQUES DE FABRICATION
Resumo:
(EN) A self-aligned memory device includes a conductive bottom plug disposed within an insulating layer and having a coplanar top surface, a self-aligned planar bottom electrode disposed upon the coplanar top surface and having a thickness within a range of 50 Angstroms to 200 Angstroms, a planar switching material layer disposed upon the self-aligned planar bottom electrode, a planar active metal material layer disposed upon the planar switching material layer and a planar top electrode disposed above the planar active metal material layer, wherein the self-aligned planar bottom electrode, the planar switching material layer, the planar active metal material layer, and the planar top electrode form a pillar-like structure above the insulating layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire auto-aligné comprenant une fiche inférieure conductrice, disposée à l'intérieur d'une couche isolante et ayant une surface supérieure coplanaire, une électrode inférieure plane auto-alignée, disposée sur la surface supérieure coplanaire et ayant une épaisseur dans une plage de 50 angströms à 200 angströms, une couche plane de matériau de commutation, disposée sur l'électrode inférieure plane auto-alignée, une couche plane de matériau métallique actif, disposée sur la couche plane de matériau de commutation et une électrode supérieure plane, disposée au-dessus de la couche plane de matériau métallique actif, l'électrode inférieure plane auto-alignée, la couche plane de matériau de commutation, la couche plane de matériau métallique actif et l'électrode supérieure plane formant une structure de type pilier au-dessus de la couche isolante.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)