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1. (WO2019066994) SUBSTRATE INTEGRATED INDUCTORS USING HIGH THROUGHPUT ADDITIVE DEPOSITION OF HYBRID MAGNETIC MATERIALS
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№ de pub.: WO/2019/066994 № do pedido internacional: PCT/US2017/054678
Data de publicação: 04.04.2019 Data de depósito internacional: 30.09.2017
CIP:
H01L 23/373 (2006.01) ,H01L 23/367 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/40 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
34
Disposições para resfriamento, aquecimento, ventilação ou compensação da temperatura
36
Seleção de materiais, ou formação para facilitar o aquecimento ou o resfriamento, p. ex., dissipadores de calor
373
Resfriamento facilitado pela seleção de materiais particulares para o dispositivo
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
34
Disposições para resfriamento, aquecimento, ventilação ou compensação da temperatura
36
Seleção de materiais, ou formação para facilitar o aquecimento ou o resfriamento, p. ex., dissipadores de calor
367
Resfriamento facilitado pela forma do dispositivo
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
12
Montagens, p. ex., substratos isolantes não-separáveis
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
34
Disposições para resfriamento, aquecimento, ventilação ou compensação da temperatura
40
Suportes ou meios de fixação para as disposições de resfriamento ou de aquecimento removíveis
Requerentes:
BRAUNISCH, Henning [US/US]; US
EID, Feras [LB/US]; US
DOGIAMIS, Georgios C. [GR/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventores:
BRAUNISCH, Henning; US
EID, Feras; US
DOGIAMIS, Georgios C.; US
Mandatário:
ROJO, Estiven; US
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
Dados da prioridade:
Título (EN) SUBSTRATE INTEGRATED INDUCTORS USING HIGH THROUGHPUT ADDITIVE DEPOSITION OF HYBRID MAGNETIC MATERIALS
(FR) INDUCTEURS INTÉGRÉS À UN SUBSTRAT UTILISANT UN DÉPÔT ADDITIF À HAUT DÉBIT DE MATÉRIAUX MAGNÉTIQUES HYBRIDES
Resumo:
(EN) An inductor in a device package and a method of forming the inductor in the device package are described. The inductor includes a first conductive layer disposed on a substrate. The inductor also has one or more hybrid magnetic additively manufactured (HMAM) layers disposed over and around the first conductive layer to form one or more via openings over the first conductive layer. The inductor further includes one or more vias disposed into the one or more via openings, wherein the one or more vias are only disposed on the portions of the exposed first conductive layer. The inductor has a dielectric layer disposed over and around the one or more vias, the HMAM layers, and the substrate. The inductor also has a second conductive layer disposed over the one or more vias and the dielectric layer.
(FR) L'invention concerne un inducteur dans un boîtier de dispositif et un procédé de formation de l'inducteur dans le boîtier de dispositif. L'inducteur comprend une première couche conductrice disposée sur un substrat. L'inducteur comprend également une ou plusieurs couches magnétiques hybrides de fabrication additive (HMAM) disposées sur et autour de la première couche conductrice pour former une ou plusieurs ouvertures d'interconnexion sur la première couche conductrice. L'inducteur comprend en outre un ou plusieurs trous d'interconnexion disposés dans l'une ou plusieurs ouvertures d'interconnexion, l'un ou plusieurs trous d'interconnexion étant uniquement disposés sur les parties de la première couche conductrice exposée. L'inducteur a une couche diélectrique disposée sur et autour de l'un ou plusieurs trous d'interconnexion, les couches HMAM et le substrat. L'inducteur comporte également une seconde couche conductrice disposée sur l'un ou plusieurs trous d'interconnexion et la couche diélectrique.
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Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)