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1. (WO2019066993) WARPAGE MITIGATION STRUCTURES CREATED ON SUBSTRATE USING HIGH THROUGHPUT ADDITIVE MANUFACTURING
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№ de pub.: WO/2019/066993 № do pedido internacional: PCT/US2017/054677
Data de publicação: 04.04.2019 Data de depósito internacional: 30.09.2017
CIP:
H01L 23/367 (2006.01) ,H01L 23/04 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
34
Disposições para resfriamento, aquecimento, ventilação ou compensação da temperatura
36
Seleção de materiais, ou formação para facilitar o aquecimento ou o resfriamento, p. ex., dissipadores de calor
367
Resfriamento facilitado pela forma do dispositivo
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
02
Recipientes; Vedações
04
caracterizados pelo formato
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
Requerentes:
EID, Feras [LB/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventores:
EID, Feras; US
Mandatário:
ROJO, Estiven; US
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
Dados da prioridade:
Título (EN) WARPAGE MITIGATION STRUCTURES CREATED ON SUBSTRATE USING HIGH THROUGHPUT ADDITIVE MANUFACTURING
(FR) STRUCTURES D'ATTÉNUATION DE GAUCHISSEMENT CRÉÉES SUR UN SUBSTRAT À L'AIDE D'UNE FABRICATION ADDITIVE À HAUT RENDEMENT
Resumo:
(EN) Device package and method of forming a device package are described. The device package has a substrate with dies disposed on the substrate. Each die has a bottom surface that is electrically coupled to the substrate and a top surface. The device package further includes a plurality of stiffeners disposed directly on the substrate. The stiffeners may be directly attached to a top surface of the substrate without an adhesive layer. The device package may include stiffeners with one or more different sizes and shapes, including at least one of a rectangular stiffener, a picture frame stiffener, a L-shaped stiffener, a H-shaped stiffener, and a round pillar stiffener. The device package may have the stiffeners disposed on the top surface of the substrate using a cold spray process. The device package may also include a mold layer formed around and over the dies, the stiffeners, and the substrate.
(FR) L'invention concerne un boîtier de dispositif et un procédé de formation de boîtier de dispositif. Le boîtier de dispositif a un substrat avec des puces disposées sur le substrat. Chaque puce a une surface inférieure qui est électriquement couplée au substrat et une surface supérieure. Le boîtier de dispositif comprend en outre une pluralité de raidisseurs disposés directement sur le substrat. Les raidisseurs peuvent être directement fixés à une surface supérieure du substrat sans couche adhésive. Le boîtier de dispositif peut comprendre des raidisseurs ayant une ou plusieurs tailles et formes différentes, comprenant au moins un élément parmi un raidisseur rectangulaire, un raidisseur en forme de cadre d'image, un raidisseur en forme de L, un raidisseur en forme de H, et un raidisseur en forme de pilier rond. Le boîtier de dispositif peut comporter les raidisseurs disposés sur la surface supérieure du substrat à l'aide d'un procédé de pulvérisation à froid. Le boîtier de dispositif peut également comprendre une couche de moule formée autour et au-dessus des puces, des raidisseurs et du substrat.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)