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1. (WO2019066958) IMPROVED CONTACTS TO N-TYPE TRANSISTORS WITH L-VALLEY CHANNELS
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№ de pub.: WO/2019/066958 № do pedido internacional: PCT/US2017/054585
Data de publicação: 04.04.2019 Data de depósito internacional: 29.09.2017
CIP:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/04 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
68
controláveis unicamente pela corrente elétrica fornecida ou pelo potencial elétrico aplicado a um eletrodo que não conduz a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efeito de campo
78
com o efeito de campo produzido por uma porta isolada
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
02
caracterizados por seus corpos semicondutores
04
caracterizados por sua estrutura cristalina, p. ex., policristalina, cúbica ou de orientação especial dos planos cristalinos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
40
Eletrodos
41
caracterizados por seus formatos, tamanhos relativos ou disposições
417
transportando a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada
Requerentes:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US
Inventores:
CRUM, Dax; US
WEBER, Cory; US
MEHANDRU, Rishabh; US
KENNEL, Harold; US
CHU-KUNG, Benjamin; US
Mandatário:
GUGLIELMI, David L.; US
Dados da prioridade:
Título (EN) IMPROVED CONTACTS TO N-TYPE TRANSISTORS WITH L-VALLEY CHANNELS
(FR) CONTACTS AMÉLIORÉS DE TRANSISTORS DE TYPE N À CANAUX À CREUX EN L
Resumo:
(EN) An apparatus is provided which comprises: a first region over a substrate, wherein the first region comprises a first semiconductor material having a L-valley transport energy band structure, a second region in contact with the first region at a junction, wherein the second region comprises a second semiconductor material having a X-valley transport energy band structure, wherein a <111> crystal direction of one or more crystals of the first and second semiconductor materials are substantially orthogonal to the junction, and a metal adjacent to the second region, the metal conductively coupled to the first region through the junction. Other embodiments are also disclosed and claimed.
(FR) L'invention concerne un appareil comprenant : une première région située sur un substrat, la première région comprenant un premier matériau semi-conducteur ayant une structure de bande d'énergie de transport en creux en L, une seconde région en contact avec la première région au niveau d'une jonction, la seconde région comprenant un second matériau semi-conducteur ayant une structure de bande d'énergie de transport en creux en X, une direction de cristaux <111> d'un ou de plusieurs cristaux des premier et second matériaux semi-conducteurs étant sensiblement orthogonale à la jonction, et un métal adjacent à la seconde région, le métal étant couplé de manière conductrice à la première région par l'intermédiaire de la jonction. L'invention décrit et revendique également d'autres modes de réalisation.
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Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)