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1. (WO2019066916) COMPLEMENTARY GROUP III-NITRIDE TRANSISTORS WITH COMPLEMENTARY POLARIZATION JUNCTIONS
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№ de pub.: WO/2019/066916 № do pedido internacional: PCT/US2017/054380
Data de publicação: 04.04.2019 Data de depósito internacional: 29.09.2017
CIP:
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
68
controláveis unicamente pela corrente elétrica fornecida ou pelo potencial elétrico aplicado a um eletrodo que não conduz a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efeito de campo
778
canal bidimensional de portadores de carga) por ex., HEMT (FET com heteroestrutura)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
77
Manufatura ou tratamento de dispositivos constituídos de uma pluralidade de componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados dentro ou sobre um substrato comum
78
com divisão subsequente do substrato em dispositivos individuais múltiplos
82
para produzir dispositivos, p. ex.,circuitos integrados, cada um consistindo de uma pluralidade de componentes
822
sendo o substrato um semicondutor usando tecnologia de silício
8232
Tecnologia de efeito de campo
8234
Tecnologia MIS
8238
Transistores de efeito de campo complementares, p. ex., CMOS
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
Requerentes:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Inventores:
THEN, Han Wui; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
Mandatário:
HOWARD, James M.; US
Dados da prioridade:
Título (EN) COMPLEMENTARY GROUP III-NITRIDE TRANSISTORS WITH COMPLEMENTARY POLARIZATION JUNCTIONS
(FR) TRANSISTORS AU NITRURE DU GROUPE III DE TYPE COMPLÉMENTAIRE À JONCTIONS DE POLARISATION COMPLÉMENTAIRES
Resumo:
(EN) Group III-N transistors of complementary conductivity type employing two polarization junctions of complementary type. Each III-N polarization junction may include two III-N material layers having opposite crystal polarities. The opposing polarities may induce a two-dimensional charge sheet within each of the two III-N material layers. Opposing crystal polarities may be induced through introduction of an intervening layer between two III-N material layers. A III-N heterostructure may include two III-N polarization junctions. A 2D electron gas (2DEG) is induced at a first polarization junction and a 2D hole gas (2DHG) is induced at the second polarization junction. Transistors of complementary type may utilize a separate one of the polarization junctions, enabling III-N transistors to implement CMOS circuitry.
(FR) L'invention concerne des transistors du groupe III-N du type à conductivité complémentaire faisant appel à deux jonctions de polarisation de type complémentaire. Chaque jonction de polarisation au III-N peut comprendre deux couches de matériau de III-N ayant des polarités cristallines contraires. Les polarités contraires peuvent induire une feuille de charge bidimensionnelle à l'intérieur de chacune des deux couches de matériau de III-N. Des polarités cristallines contraires peuvent être induites par une introduction d'une couche intermédiaire entre deux couches de matériau de III-N. Une hétérostructure au III-N peut comprendre deux jonctions de polarisation au III-N. Un gaz d'électrons 2D (2DEG) est induit au niveau d'une première jonction de polarisation et un gaz de trou 2D (2DHG) est induit au niveau de la seconde jonction de polarisation. Des transistors de type complémentaire peuvent faire appel à une jonction séparée parmi les jonctions de polarisation, permettant aux transistors au III-N de constituer des circuits CMOS.
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Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)